[发明专利]一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路

权利要求书

1.一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路，其特征在于，包括：基本单元，所述基本单元中心设置有第一平板电容，该基本单元以第一平板电容为中心，左右镜像对称级联，所述第一平板电容上并联有第一开关控制元件；

所述第一平板电容左侧包括：第一微带传输线和第二微带传输线；

所述第一微带传输线的一端连接有第二开关控制元件和第二平板电容，所述第二开关控制元件和第二平板电容并联连接；所述第一微带传输线的另一端与第二微带传输线串联；

所述第一微带传输线和第二微带传输线之间并联有第三开关控制元件、感性元件及第二接地金属通孔；

所述第三开关控制元件、感性元件及第二接地金属通孔之间串联连接；

所述第三开关控制元件和感性元件之间并联有第四开关控制元件和第一接地金属通孔；

所述第四开关控制元件和第一接地金属通孔串联连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路，其特征在于，所述第一开关控制元件、第二开关控制元件和第四开关控制元件连接有第一控制信号，所述第三开关控制元件连接有第二控制信号。

3.根据权利要求2所述的一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路，其特征在于，所述第一控制信号和第二控制信号的信号电平为0/-5V，当信号电平为0V时，开关控制元件导通，当信号电平为-5V时，开关控制元件截止；所述第一控制信号和第二控制信号的工作状态互补。

4.根据权利要求1-3任一所述的一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路，其特征在于，所述感性元件选用平面电感或高阻抗传输线。

5.根据权利要求4所述的一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路，其特征在于，所述平面电感或高阻抗传输线集成在GaAs材料基板上，所述平面电感的电感量根据高通滤波器阶数、滤波器通带插损和带外抑制确定，所述高阻抗传输线的线宽和长度根据高通滤波器阶数、滤波器通带插损和带外抑制确定。

6.根据权利要求1-3任一所述的一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路，其特征在于，所述第一开关控制元件、第二开关控制元件、第三开关控制元件和第四开关控制原件都选用GaAs基FET开关管。

7.根据权利要求6所述的一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路，其特征在于，所述GaAs基FET开关管的器件参数由构成电路的工作频段、承受功率及通带插损决定。

8.根据权利要求1-3任一所述的一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路，其特征在于，所述第一微带传输线和第二微带传输线的宽度按照50欧母特性阻抗设计，长度由可重构超宽带直通/高通滤波器电路工作频段的需求确定。

9.根据权利要求1-3任一所述的一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路，其特征在于，所述第一平板电容和第二平板电容采用平板电容器和插指电容结构集成在GaAs材料基板上；所述第一平板电容和第二平板电容的容值大小及结构尺寸根据高通滤波器阶数、滤波器通带插损及带外抑制确定。

10.根据权利要求1-3任一所述的一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路，其特征在于，所述超宽带直通/高通滤波器电路的滤波器阶数由基本单元的个数决定，所述滤波器阶数的计算公式如下：

M＝2*N+1；

其中，M表示可重构超宽带直通/高通滤波器电路的滤波器阶数，N表示该电路中基本单元的个数，N为大于等于2的自然数。