[发明专利]一种低电压小电流偏置电流电路

权利要求书

1.一种低电压小电流偏置电流电路，包括电流源电路、有源电阻MR和有源电阻控制电路，其特征在于，有源电阻控制电路产生控制信号Vmr，调节有源电阻MR的阻值大小和温度特性参数，实现对偏置电流的电流大小和温度特性的控制；

所述电流源电路包括MOS管Mp1、MOS管Mp2、MOS管Mp3、MOS管Mb1、MOS管Mb2、MOS管Mb3和电容Cc；

所述有源电阻MR为MOS管MR，所述有源电阻控制电路包括MOS管Ma1、MOS管Ma2、MOS管Mrr、MOS管Mp4、MOS管Mp6和MOS管Mp5；

所述MOS管Mp1的源极连接MOS管Mp2的源极、电源VDD和MOS管Mp3的源极，MOS管Mp1的栅极连接MOS管Mp2的栅极、MOS管Mb3的漏极和MOS管Mp3的栅极，MOS管Mp1的漏极连接MOS管Mb1的漏极、MOS管Mb1的栅极、MOS管Mtail的栅极和MOS管Mb2的栅极，MOS管Mp2的漏极连接MOS管Mb2的漏极、MOS管Mb3的栅极和电容Cc，MOS管Mb1的源极连接MOS管MR的漏极，MOS管MR的栅极连接MOS管Ma1的漏极和MOS管Mp5的漏极，MOS管Mp5的源极连接MOS管Mp6的源极、MOS管Mp4的源极和电源VDD，MOS管Mp5的栅极连接MOS管Mp6的栅极、MOS管Mp6的漏极和MOS管Ma2的漏极，MOS管Ma1的源极连接MOS管Ma2的源极和MOS管Mtail的漏极，MOS管Ma2的栅极连接MOS管Mrr的漏极、MOS管Mrr的栅极和MOS管Mp4的漏极；

MOS管Mp3的漏极连接MOS管Mp3的栅极；MOS管MR的源极、MOS管Mb2的源极、MOS管Mb3的源极、电容Cc的另一端连接电源VDD；MOS管Mp4的栅极连接MOS管Mp3的栅极；MOS管Mrr的源极、MOS管Mtail的源极接地；MOS管Ma1的栅极连接MOS管MR的栅极；MOS管Ma2的漏极连接MOS管Mp6的栅极；

所述MOS管Mtail、MOS管Ma1、MOS管Ma2、MOS管Mp5和MOS管Mp6组成压差生成电路。

2.根据权利要求1所述的一种低电压小电流偏置电流电路，其特征在于，所述MOS管Mrr和MOS管MR尺寸相同或成比例。