[发明专利]一种产生大温度梯度的炉子在审

专利信息
申请号: 202010416946.1 申请日: 2020-07-01
公开(公告)号: CN111534857A 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 汤长城;张庆龙;绳仁龙;田晓凡 申请(专利权)人: 山东圆坤电子科技有限公司
主分类号: C30B35/00 分类号: C30B35/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 277000 山东省枣庄市薛城区常*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 产生 温度梯度 炉子
【说明书】:

发明公开了一种产生大温度梯度的炉子,主要包括底板、外壳、籽料杆、坩埚、上梯块和下梯块,所述底板顶端固定安装有外壳,外壳内侧中部固定安装有导热框,导热框外侧壁与外壳内壁之间填充有隔热体,所述导热框中部固定安装有内壳,内壳侧壁与导热框侧壁之间固定安装有炉丝,所述外壳顶端盖设有顶盖,顶盖中部贯穿固定安装有耐磨套,耐磨套中部贯穿插接安装有籽料杆,籽料杆底端固定安装有籽料。本发明在结构上设计合理,采用倒三角锥形炉膛设计,能够有效增加炉膛内温场对流,产生较大的温度梯度,本装置简单易行,可以改变坩埚的高度,使得设备的稳定性和灵活性更好,密封效果好,节能且开闭简单,加工效果好,方便对内部进程的观测,且在观察后保证内部密封。

技术领域

本发明涉及一种结晶炉,具体是一种产生大温度梯度的炉子。

背景技术

晶体生长的原理是基于物种晶相化学势与该物种在相关物相中化学势间准平衡关系的合理维持。如在溶液中的晶体生长要求在平衡溶解度附近溶质有一定适宜的过饱和度。晶体生长方法是多样的,如水热法生长人工水晶,区域熔融法生长硅、锗单晶、氢氧焰熔融法生长轴承用宝石,航天失重法培养晶体以及升华法;同质或异质外延生长法等。

温场对晶体生长非常关键,直接关系到晶体的成核数量,生长的尺寸,最终的质量,某些晶体生长,需要非常大的温度梯度,而一般要产生大温度梯度的方法都比较复杂,实现困难,而且现有的设备温度调节操作繁琐,造成晶体结晶的质量差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种产生大温度梯度的炉子,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种产生大温度梯度的炉子,主要包括底板、外壳、籽料杆、坩埚、上梯块和下梯块,所述底板顶端固定安装有外壳,外壳内侧中部固定安装有导热框,导热框外侧壁与外壳内壁之间填充有隔热体,所述导热框中部固定安装有内壳,内壳侧壁与导热框侧壁之间固定安装有炉丝,所述外壳顶端盖设有顶盖,顶盖左侧中部固定安装有中框,中框内侧上部滑动安装有上滑杆,所述中框内侧下部滑动安装有下滑杆,所述上滑杆和下滑杆端部固定安装有卡架,所述中框中部转动安装有中轴,中轴外侧中部固定安装有齿轮,所述上滑杆和下滑杆侧壁固定安装有与齿轮配合的齿条,所述中框内侧贯穿安装有挡杆,所述上滑杆和下滑杆内部开设有与挡杆配合的滑口,所述顶盖左侧固定安装有对称设置的上卡头,所述外壳左侧上部固定安装有对称设置的下卡头;

所述顶盖中部贯穿固定安装有耐磨套,耐磨套中部贯穿插接安装有籽料杆,籽料杆底端固定安装有籽料,所述内壳内侧下部设置有衬垫,衬垫顶端中部滑接安装有下梯块,下梯块上方叠放安装有上梯块,上梯块底端固定安装有等距排列的插块,所述下梯块和衬垫顶端开设有与插块配合的插槽,所述上梯块顶端叠放设置有坩埚,坩埚底端外壁与衬垫顶端侧壁分别固定安装有对称设置的滑接框,所述上梯块和下梯块前后侧壁固定安装有对称设置的侧凸条,侧凸条与滑接框内壁滑动接触,所述坩埚底端外壁固定安装有前后对称的导杆,所述衬垫内部开设有与导杆配合的滑槽,所述坩埚内侧上部填充有原料熔液,所述籽料沉浸于原料熔液中,滑接框所述籽料杆外侧下部套设安装有盖板,盖板盖设安装在坩埚上方;

所述顶盖内部开设有对称设置的观察孔,观察孔内侧插接安装有插管,插管顶端插接安装有堵头,所述插管外侧上部固定安装有挡环,所述插管底端固定安装有凸透镜。

作为本发明进一步的方案:所述内壳与导热框围设的空腔底端留有与炉丝配合的检修口。

作为本发明再进一步的方案:所述外壳顶端边缘处固定安装有密封环,所述顶盖底端固定安装有与密封环配合的衬垫。

作为本发明再进一步的方案:所述导杆下部固定安装有限位销,所述衬垫下部内侧开设有与限位销配合的滑接槽。

作为本发明再进一步的方案:所述炉丝通过线束与外部电源及外部控制设备电性连接。

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