[发明专利]膜厚测定方法

权利要求书

1.一种膜厚测定方法，其使用膜厚测定装置测定第二半导体层的膜厚，所述第二半导体层覆盖第一半导体层的表面，其中，

所述第一半导体层和所述第二半导体层由相同的主体材料制成，为相同的导电类型，

所述膜厚测定装置具有光源、基台、半反射镜、光检测器以及膜厚计算器，

所述膜厚测定方法具有：

将具备所述第一半导体层和所述第二半导体层的半导体基板固定在所述基台上的工序；以及

通过所述膜厚测定装置测定所述第二半导体层的膜厚的工序,

所述膜厚测定装置配置为，从所述光源照射的光由所述半反射镜反射之后，被固定在所述基台上的所述半导体基板反射，由所述半导体基板反射后的光穿过所述半反射镜入射到所述光检测器,

由所述半导体基板反射的光包括由所述第二半导体层的表面反射的第一反射光、以及由所述第二半导体层与所述第一半导体层之间的分界面反射的第二反射光,

所述膜厚计算器基于所述光检测器检测出的光，计算所述第二半导体层的膜厚。

2.根据权利要求1所述的膜厚测定方法，其中，

所述主体材料为宽带隙半导体，

所述光源照射可见光或紫外光。

3.根据权利要求1或2所述的膜厚测定方法，其中，

所述膜厚测定装置还具有配置在所述半反射镜与所述基台之间的物镜，

所述膜厚测定方法还具有通过移动所述物镜而调整照射到所述半导体基板的光的焦点位置的工序。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的膜厚测定方法，其中，

所述第一半导体层和所述第二半导体层含有掺杂剂，

所述掺杂剂的浓度的峰值存在于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的分界面处。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的膜厚测定方法，其中，

所述主体材料为氧化物半导体。

6.根据权利要求5所述的膜厚测定方法，其中，

所述第一半导体层和所述第二半导体层为n型，

所述第一半导体层和所述第二半导体层含有IV族元素。

7.根据权利要求6所述的膜厚测定方法，其中，

所述IV族元素为碳元素或硅元素。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的膜厚测定方法，其中，

所述半导体基板内的氧原子浓度的峰值存在于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的分界面处。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的膜厚测定方法，其中，

所述氧化物半导体为氧化镓。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的膜厚测定方法，其中，

所述半导体基板内的晶体缺陷密度的最大值或最小值存在于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的分界面处。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的膜厚测定方法，其中，

沿所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度方向测定的所述半导体基板内的晶体缺陷密度的分布中，所述晶体缺陷密度的变化量最大的部分存在于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的分界面处。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的膜厚测定方法，其中，

所述半导体基板中形成开关元件，

所述第二半导体层的电阻比所述第一半导体层的电阻高，

所述第二半导体层是所述开关元件的漂移层。