[发明专利]一种多谱段TDICMOS的均匀电荷转移控制方法有效
| 申请号: | 202010341988.3 | 申请日: | 2020-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN111510647B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
| 发明(设计)人: | 余达;刘金国;姜肖楠;周磊;左洋;张博研;王玉龙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号: | H04N5/355 | 分类号: | H04N5/355;H04N5/3745 |
| 代理公司: | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人: | 朱红玲 |
| 地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 多谱段 tdicmos 均匀 电荷 转移 控制 方法 | ||
1.一种多谱段TDICMOS成像系统的均匀电荷转移控制方法,其特征是:该方法由以下步骤实现:
首先设定成像探测器全色时序操作的最小像素时钟个数nqs_min为2的整数次幂;多谱段时序操作的最小像素时钟个数为全色时序操作的最小像素时钟个数的4倍:并要求所述最小像素时钟个数nqs_min与应用的最小行周期tH_min对应的像素时钟个数fpix满足下述关系:
根据输入的多谱段行周期对应的像素时钟个数mul_lenth_new,确定多谱段的驱动信号跳变沿的产生方式,具体步骤如下:
步骤一、进行跳变沿位置等比例增长;则新的跳变沿位置采用乘法操作后截取高位;即:n+2bit的当前输入的多谱段行周期长度和n+2多谱段跳变沿位置的乘积,然后截取高位的n+2bit;
步骤二、根据曝光开始时刻驱动信号的下降沿位置变化,计算多谱段移动位置b_shifter;用公式表示为:
b_shifter=AG_B6_falling_step1-AG_B6_falling
式中,AG_B6_falling为进行等比例增长前的曝光开始时刻驱动信号的下降沿位置,AG_B6_falling_step1为进行等比例增长后的曝光开始时刻驱动信号的下降沿位置;
步骤三、判断多谱段跳变沿移动前位置mul_pos_step1是否大于等于所述多谱段移动位置b_shifter,如果是,则多谱段跳变沿移动后的位置为:mul_pos_step23=mul_pos_step1-b_shifter;如果否,则多谱段跳变沿移动后的位置为:mul_pos_step23=mul_lenth_new+mul_pos_step1-b_shifter;
所述mul_lenth_new为多谱段行周期对应的像素时钟个数;
步骤四、统计各敏感区内的跳变沿位置的数量,并记录具体的跳变沿位置,然后对所述跳变沿位置进行编码;具体为:
利用行周期更新脉冲,对计数器进行复位,当计数器递增到2m+2后停止递增;在不同的计数位置,进行敏感区内各跳变沿位置的统计;当检测到在对应敏感区内的跳变沿后,计数器加1,同时将跳变沿的位置编码后进行存储;m为电荷转移的位相数;
步骤五、统计非敏感区内距离敏感区边缘最近的跳变沿位置点;同时记录具体的跳变沿位置,然后对跳变沿位置进行编码;
步骤六、比较非敏感区内最近跳变沿位置与敏感区左右边缘的距离,将敏感区内的跳变沿位置进行均匀分布,当敏感区左侧与非敏感区内最近跳变沿位置的距离大于等于敏感区右侧与非敏感区内最近跳变沿位置的距离,则将敏感区跳变沿位置设置在敏感区的左侧;
当敏感区右侧与非敏感区内最近跳变沿位置的距离大于左侧与非敏感区内最近跳变沿位置的距离,则将敏感区跳变沿位置设置在敏感区的右侧;用下式表示为:
式中,Psense_i为第i个敏感区内的位置经调整后的跳变沿位置;i的取值为1~p;Pleft为左侧非敏感区内距离最近的跳变沿位置,Dleft为与敏感区左边缘的距离;Pright为右侧非敏感区内距离最近的跳变沿位置,Dright为与敏感区右边缘的距离。
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