[发明专利]一种保护电路

权利要求书

1.一种保护电路，其特征在于：其包括自恢复保护电路、开关电路、保护电路供电电路、保护信号产生电路和保护电路；

直流电源或直流母线V1端通过开关电路与直流电源或直流母线V2端连接，所述自恢复保护电路的一端与开关电路的一端连接，所述自恢复保护电路的一端与开关电路的另一端连接，所述开关电路与保护电路连接；

所述保护电路供电电路、保护信号产生电路分别与直流电源或直流母线V1端、直流电源或直流母线V2端连接，所述保护电路供电电路、保护信号产生电路连接后与保护电路连接。

2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于：所述自恢复保护电路包括自恢复热敏电阻RT。

3.根据权利要求2所述的保护电路，其特征在于：所述自恢复热敏电阻RT的一端与开关电路的一端连接，所述自恢复热敏电阻RT的另一端与开关电路的另一端、直流电源或直流母线V2端连接。

4.根据权利要求3所述的保护电路，其特征在于：所述保护电路供电电路包括共阴/阳极端或两个阴/阳极相连的二极管D2和电阻R2，所述保护信号产生电路包括共阳/阴极端或两个阳/阴极相连的二极管D3；

所述二极管D2的一阳/阴极端、二极管D3的一阴/阳极端与自恢复热敏电阻RT的另一端、直流电源或直流母线V2端连接，所述二极管D2的另一阳/阴极端、二极管D3的另一阴/阳极端与直流电源或直流母线V1端连接，所述二极管D2的共阴/阳极端与电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与二极管D3的共阳/阴极端、保护电路连接。

5.根据权利要求4所述的保护电路，其特征在于：所述保护电路包括稳压管Z1、电阻R1、电阻R3和三极管Q3，所述电阻R2的另一端与稳压管Z1的阴/阳极端连接，所述稳压管Z1的阳/阴极端与三极管Q3的B极、电阻R3的一端连接，所述三极管Q3的E极、电阻R3的另一端接地，所述三极管Q3的C极通过电阻R1与开关电路连接。

6.根据权利要求5所述的保护电路，其特征在于：所述开关电路包括单刀双掷继电器RLY，所述单刀双掷继电器RLY的输入端与直流电源或直流母线V1端连接，所述单刀双掷继电器RLY的常闭触点与自恢复热敏电阻RT的一端连接，所述单刀双掷继电器RLY的常开触点与自恢复热敏电阻RT的另一端、直流电源或直流母线V2端连接；

所述单刀双掷继电器RLY的吸合线圈的一端与二极管D2的共阴/阳极端、电阻R2的一端连接，所述电阻R1与单刀双掷继电器RLY的吸合线圈的另一端连接。

7.根据权利要求5所述的保护电路，其特征在于：所述保护电路包括共阴/阳极端或两个阴/阳极相连的二极管D1，所述电阻R1与二极管D1的共阴/阳极端连接，所述二极管D1的两个阳/阴极端与开关电路连接。

8.根据权利要求7所述的保护电路，其特征在于：所述开关电路包括晶体管Q1、晶体管Q2、电阻R4和电阻R5，所述晶体管Q2的S极与直流电源或直流母线V1端、自恢复热敏电阻RT的一端连接，所述电阻R4的两端分别与晶体管Q2的S极、晶体管Q2的G极连接；所述晶体管Q2的D极与晶体管Q1的D极连接，所述晶体管Q1的S极与直流电源或直流母线V2端、自恢复热敏电阻RT的另一端连接，所述电阻R5的两端分别与晶体管Q1的S极、晶体管Q1的G极连接；

所述晶体管Q2的G极与二极管D1的一阳/阴极端连接，所述二极管D1的另一阳/阴极端与晶体管Q1的G极连接。

9.根据权利要求5所述的保护电路，其特征在于：所述开关电路包括晶体管Q2、电阻R4和二极管D4，所述晶体管Q2的S极通过二极管D4与直流电源或直流母线V1端连接，所述电阻R4的两端分别与晶体管Q2的S极、晶体管Q2的G极连接，所述晶体管Q2的G极与电阻R1连接，所述自恢复热敏电阻RT的两端分别与晶体管Q2的S极、晶体管Q2的D极连接，所述晶体管Q2的D极与直流电源或直流母线V2端连接；

所述二极管D2的另一阳/阴极端与二极管D3的另一阴/阳极端与自恢复热敏电阻RT的一端、二极管D4、晶体管Q2的S端连接。