[发明专利]半导体器件的耐量测试装置及方法

说明书

本申请实施例提供一种半导体器件的耐量测试装置及方法，通过电流冲击单元按照设定峰值电流值、设定电流上升率以及设定脉冲周期向待测半导体器件输入电流冲击信号，并通过测试单元测试待测半导体器件上的电流冲击信号、电流冲击信号的测试脉冲次数以及待测半导体器件的器件状态后，由主控单元根据待测半导体器件上的电流冲击信号、电流冲击信号的测试脉冲次数以及待测半导体器件的器件状态生成待测半导体器件的电流上升率耐量值。如此，能够将半导体器件的电流上升率耐受能力进行有效量化，以便于后续准确评估半导体器件的电流上升率耐受能力，进而采取必要手段降低半导体器件的失效比例。

技术领域

本申请涉及半导体器件的测试技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件的耐量测试装置及方法。

背景技术

在大功率半导体器件的应用过程中，经本申请发明人研究发现，由于其电流上升率(di/dt)的耐受能力有限，导致失效比例较高。尽管传统手段在应用电路上都有相关防护措施，但要完全杜绝在任何特殊情况下都不出现超高电流上升率的现象是极难的。因此，针对半导体器件而言，需要在一定范围内具有适当的电流上升率耐受能力。基于此，如何将半导体器件的电流上升率耐受能力进行有效量化，以便于后续准确评估半导体器件的电流上升率耐受能力，进而采取必要手段降低半导体器件的失效比例，是本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

为了克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种半导体器件的耐量测试装置及方法，能够将半导体器件的电流上升率耐受能力进行有效量化，以便于后续准确评估半导体器件的电流上升率耐受能力，进而采取必要手段降低半导体器件的失效比例。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

根据本申请实施例的第一方面，本申请实施例提供一种半导体器件的耐量测试装置，与计算机设备通信连接，所述半导体器件的耐量测试装置包括：

电流冲击单元，用于按照设定峰值电流值、设定电流上升率以及设定脉冲周期向待测半导体器件输入电流冲击信号；

测试单元，用于测试所述待测半导体器件上的电流冲击信号、所述电流冲击信号的测试脉冲次数以及所述待测半导体器件的器件状态；

主控单元，分别与所述电流冲击单元和所述测试单元电性连接，并通过通信单元与所述计算机设备通信连接，用于将所述计算机设备发送的设定峰值电流值、设定电流上升率以及设定脉冲周期配置到所述电流冲击单元，并用于根据所述待测半导体器件上的电流冲击信号、所述电流冲击信号的测试脉冲次数以及所述待测半导体器件的器件状态生成所述待测半导体器件的电流上升率耐量值，并将所述电流上升率耐量值通过所述通信单元发送给所述计算机设备，其中，所述器件状态包括有效状态和失效状态。

在第一方面的一种可能的实施方式中，所述电流冲击单元包括：

峰值电流控制电路，用于向待测半导体器件输入所述设定峰值电流值的电流冲击信号；

与所述峰值电流控制电路电性连接的di/dt控制电路，用于根据所述设定电流上升率控制所述电流冲击信号的电流上升率；

触发电流控制电路，用于按照所述设定脉冲周期控制所述电流冲击信号的脉冲触发信号的脉冲周期。

在第一方面的一种可能的实施方式中，所述触发电流控制电路包括：

触发电流控制子电路以及与所述触发电流控制子电路电性连接的触发周期控制子电路，所述触发周期控制子电路用于按照所述设定脉冲周期控制所述触发电流控制子电路的电流冲击信号的脉冲触发信号的脉冲周期。

在第一方面的一种可能的实施方式中，所述测试单元包括：

测试脉冲计数电路，所述测试脉冲计数电路用于测试所述电流冲击信号的测试脉冲次数；