[发明专利]基于共面波导的小型化的三阶SD-HMSIW带通滤波器有效

专利信息
申请号: 202010310347.1 申请日: 2020-04-20
公开(公告)号: CN111463525B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 许锋;俞婷婷 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 孟红梅
地址: 210033 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 波导 小型化 sd hmsiw 带通滤波器
【权利要求书】:

1.一种基于共面波导的小型化的三阶封闭式HMSIW(SD-HMSIW)带通滤波器,其特征在于,包括下层金属板(1),中间层微波介质板(2),以及上层金属板(3);所述上层金属板(3)设有位于三角形直角边的两排金属通孔(4)和等腰直角三角形斜边外的一排金属通孔(12),输入/输出馈线,第一金属通孔(7),第二金属通孔(8),一对共面波导谐振器(10)及其共用的第三金属通孔(9),以及加载的梯形槽(11);

所述两排金属通孔(4)与三角形的直角边分别平行且相互垂直;

所述梯形槽(11)平行于等腰直角三角形的斜边,且梯形的上底平行于所述一排金属通孔(12);

所述输入/输出馈线由传输线(5)和加载在传输线(5)两侧的L型槽(6)构成;

所述共面波导谐振器(10)关于等腰直角三角形的高对称;形成共面波导谐振器(10)的槽与所述梯形槽(11)相连接,且共面波导谐振器(10)平行等腰直角三角形的斜边;

所述第三金属通孔(9)位于一对共面波导谐振器(10)的中心处;

所述第二金属通孔(8)位于第三金属通孔(9)的正上方;

所述第一金属通孔(7)位于第二金属通孔(8)的正上方。

2.根据权利要求1所述的基于共面波导的小型化的三阶SD-HMSIW带通滤波器,其特征在于,所述第一金属通孔(7)、第二金属通孔(8)和第三金属通孔(9)均处在三角形斜边的高上。

3.根据权利要求1所述的基于共面波导的小型化的三阶SD-HMSIW带通滤波器,其特征在于,通过调整第一金属通孔(7)的孔径,控制滤波器的TE101模的谐振频率。

4.根据权利要求1所述的基于共面波导的小型化的三阶SD-HMSIW带通滤波器,其特征在于,通过调整第二金属通孔(8)的孔径,控制滤波器的TE202模的谐振频率。

5.根据权利要求1所述的基于共面波导的小型化的三阶SD-HMSIW带通滤波器,其特征在于,所述共面波导谐振器(10)的电长度为中心频率对应的波长的四分之一。

6.根据权利要求1所述的基于共面波导的小型化的三阶SD-HMSIW带通滤波器,其特征在于,通过引入共面波导,在通带的上边缘产生了一个传输零点,调整共面波导的长度,可以改变滤波器的带宽。

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