[发明专利]一种电平转换器在审

专利信息
申请号: 202010288907.8 申请日: 2020-04-14
公开(公告)号: CN111355481A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 乔树山;袁甲;胡晓宇;于增辉;凌康 申请(专利权)人: 北京中科芯蕊科技有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 刘凤玲
地址: 100092 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 电平 转换器
【权利要求书】:

1.一种电平转换器,其特征在于,包括:

威尔逊电流镜电路和反相器电路;所述威尔逊电流镜电路和所述反相器电路连接;

所述反相器电路,具体包括:

反相器电路PMOS管和反相器电路NMOS管;

所述威尔逊电流镜电路的输出端分别与反相器电路PMOS管栅极和反相器电路NMOS管栅极连接;反相器电路PMOS管源极与反相器电路电源连接;所述反相器电路PMOS管漏极与反相器电路NMOS管漏极连接;反相器电路NMOS管源极接地。

2.根据权利要求1所述的电平转换器,其特征在于,所述威尔逊电流镜电路,具体包括:

第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管;

第一PMOS管源极与威尔逊电流镜电路第一电源连接,第一PMOS管漏极分别与第二PMOS管栅极和第三PMOS管源极连接,所述第一PMOS管栅极还与所述第二PMOS管栅极连接;第二PMOS管源极与威尔逊电流镜电路第二电源连接;第三PMOS管漏极与第一NMOS管漏极连接,第一NMOS管栅极与威尔逊电流镜电路第三电源连接;第一NMOS管源极与第二NMOS管栅极连接,第二NMOS管源极接地;第二PMOS管漏极、第三PMOS管栅极、第二NMOS管漏极和所述反相器电路PMOS管栅极连接在一起。

3.根据权利要求2所述的电平转换器,其特征在于,

所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的阈值电压均大于第一NMOS管阈值电压;

所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的阈值电压均大于第二NMOS管阈值电压。

4.根据权利要求3所述的电平转换器,其特征在于,

反相器电路PMOS管阈值电压大于所述第一NMOS管阈值电压;

反相器电路PMOS管阈值电压大于所述第二NMOS管阈值电压。

5.根据权利要求4所述的电平转换器,其特征在于,

反相器电路NMOS管阈值电压大于所述第一NMOS管阈值电压;

反相器电路NMOS管阈值电压大于所述第二NMOS管阈值电压。

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