[发明专利]一种3D NAND存储器件的制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有绝缘层和栅极层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层包括核心存储区以及台阶区，所述台阶区形成有台阶结构，所述核心存储区中形成有存储单元串，所述存储单元串上设置有导电层，所述堆叠层上设置有介质层；

在所述介质层上形成刻蚀掩膜层，所述刻蚀掩膜层的顶部具有更高的刻蚀选择比；

对所述刻蚀掩膜层进行图案化，以形成位于台阶区的台阶接触图形和/或位于核心存储区的导电层接触图形；

以所述刻蚀掩膜层为掩蔽，刻蚀形成贯穿至所述导电层的导电层接触孔和/或贯穿至台阶结构的台阶接触孔；

所述刻蚀掩膜层的材料为无定型碳，掺杂元素为氢，所述刻蚀掩膜层的顶部具有更低的掺杂浓度；

所述刻蚀掩膜层包括第一掩膜层和所述第一掩膜层之上的第二掩膜层，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层分别具有均匀的掺杂浓度，且所述第一掩膜层的掺杂浓度高于所述第二掩膜层的掺杂浓度；

所述第一掩膜层的厚度占所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的厚度之和的70％-97％。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述台阶接触图形较所述导电层接触图形具有更大的尺寸。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述以所述刻蚀掩膜层为掩蔽，刻蚀形成贯穿至所述导电层的导电层接触孔和/或贯穿至台阶结构的台阶接触孔，包括：

以所述刻蚀掩膜层为掩蔽，对所述介质层进行刻蚀，以在所述介质层中形成导电层接触孔以及台阶接触开口；

形成填充导电层接触图形顶端开口处、台阶接触图形顶端侧壁以及所述刻蚀掩膜上表面的覆盖层；

以所述覆盖层和所述刻蚀掩膜层为掩蔽，在所述台阶区刻蚀得到台阶接触孔。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在对所述刻蚀掩膜层进行图案化之前，所述方法还包括：

在所述刻蚀掩膜层上形成抗反射层；

则对所述刻蚀掩膜层进行图案化，包括：

对所述抗反射层和所述刻蚀掩膜层进行图案化；

在形成所述覆盖层之前，还包括：

去除所述抗反射层。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘层和所述介质层的材料为氧化硅，所述导电层的材料为多晶硅。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述台阶接触孔和所述导电层接触孔之后，还包括：

在所述导电层接触孔和所述台阶接触孔中分别形成导电层接触部和台阶接触部。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在所述导电层接触孔和所述台阶接触孔中分别形成导电层接触部和台阶接触部，包括：

同时进行所述导电层接触孔和所述台阶接触孔填充，以在所述导电层接触孔和所述台阶接触孔中分别形成导电层接触部和台阶接触部。