[发明专利]多层电子组件

权利要求书

1.一种多层电子组件，包括：

主体，包括在第一方向上交替设置的介电层和内电极，所述主体具有在所述第一方向上彼此相对设置的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对设置的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并且在第三方向上彼此相对设置的第五表面和第六表面；以及

外电极，设置在所述主体上以连接到所述内电极，

其中，所述内电极中的至少一个内电极包括穿透对应内电极的多个断开部，

所述多个断开部中的断开部包括孔隙和设置为使相邻的介电层彼此连接的介电质中的至少一者，并且

介电填充率大于20％且小于80％，所述介电填充率定义为：在所述第三方向和所述第一方向上的截面上，所述介电质的总长度与所述断开部的总长度的比。

2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，内电极连接性为70％或更大，所述内电极连接性定义为：在所述第三方向和所述第一方向上的截面上，所述至少一个内电极的不包括所述断开部的长度与所述至少一个内电极的长度的比。

3.根据权利要求2所述的多层电子组件，其中，所述多个断开部中的至少一个包括所述孔隙和所述介电质二者。

4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述第三方向和所述第一方向上的截面上，所述多个断开部中的至少一个的长度大于所述至少一个内电极的厚度。

5.根据权利要求2所述的多层电子组件，其中，所述介电层中的每个具有0.41μm或更小的平均厚度。

6.根据权利要求1或5所述的多层电子组件，其中，所述内电极中的每个具有0.41μm或更小的厚度。

7.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电质包括与所述介电层的材料相同的材料。

8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电质包括硅，镁和铝中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述主体的在所述第三方向和所述第一方向上的截面中的中央部分的60μm×40μm的区域中测量所述介电填充率，所述截面是所述主体的在所述第二方向上的中央区域。

10.根据权利要求2所述的多层电子组件，其中，在所述主体的在所述第三方向和所述第一方向上的截面中的中央部分的60μm×40μm的区域中测量所述内电极连接性，所述截面是所述主体的在所述第二方向上的中央区域。

11.一种多层电子组件，包括：

主体，包括在第一方向上交替设置的介电层和内电极；以及

外电极，设置在所述主体上，

其中，所述内电极中的至少一个内电极包括穿透对应内电极的多个断开部，

所述多个断开部的断开部包括孔隙和设置为使相邻的介电层彼此连接的介电质中的至少一者，

所述介电质包括与所述介电层的材料相同的材料，并且

所述多个断开部中的至少一个断开部包括所述孔隙和所述介电质二者，并且在所述主体的沿所述第一方向截取的截面上，所述至少一个断开部的长度比所述至少一个内电极的厚度大，

其中，介电填充率大于20％且小于80％，所述介电填充率定义为：在所述主体的沿所述第一方向截取的截面上，所述介电质的总长度与所述断开部的总长度的比。