[发明专利]一种像素电路和显示面板在审

专利信息
申请号: 202010268321.5 申请日: 2020-04-08
公开(公告)号: CN111402788A 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 张晓东;任章淳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;G09G3/3208
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 何辉
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 电路 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其特征在于,包括:

发光器件,与第一电源信号连接,用于像素显示;

驱动单元,与所述发光器件连接,用于控制流经所述发光器件的电流强度;

写入单元,与所述驱动单元连接,用于根据前帧的扫描信号写入数据信号;

存储单元,与所述写入单元、所述驱动单元以及第二电源信号连接,用于存储和维持所述驱动单元的阈值电压;以及

补偿单元,与所述驱动单元连接,用于根据探测信号动态线性调节所述阈值电压,以配置参考信号补偿所述阈值电压的正负漂移。

2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括:

所述预存单元,与所述写入单元和所述驱动单元连接,用于根据所述扫描信号预存所述数据信号,以延长对应像素的充电时间。

3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述驱动单元包括被配置为N型双栅的第一薄膜晶体管;

所述第一薄膜晶体管的漏极与所述发光器件的输出端和所述补偿单元连接;所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二电源信号和所述存储单元连接;所述第一薄膜晶体管的顶栅与所述补偿单元、所述写入单元以及所述存储单元连接;所述第一薄膜晶体管的底栅与所述补偿单元连接。

4.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述写入单元包括第二薄膜晶体管;

所述第二薄膜晶体管的漏极与所述数据信号连接;所述第二薄膜晶体管的栅极与所述扫描信号连接;所述第二薄膜晶体管的源极与所述第一薄膜晶体管的顶栅连接。

5.根据权利要求4所述的像素电路,其特征在于,所述存储单元包括第一电容;

所述第一电容的第一端与所述第一薄膜晶体管的顶栅和所述第二薄膜晶体管的源极连接;所述第一电容的第二端与所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二电源信号连接。

6.根据权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述补偿单元包括第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管以及第二电容;

所述探测信号与所述第三薄膜晶体管的栅极和所述第四薄膜晶体管的栅极连接;所述参考信号与所述第三薄膜晶体管的漏极连接;所述第三薄膜晶体管的源极与所述第一薄膜晶体管的顶栅、所述第二薄膜晶体管的源极以及所述第一电容的第一端连接;所述第四薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体管的漏极和所述发光器件的输出端连接;所述第四薄膜晶体管的源极与所述第一薄膜晶体管的底栅和所述第二电容的第一端连接;所述第二电容的第二端与零电位连接。

7.根据权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述预存单元包括第五薄膜晶体管和第三电容;

所述第二薄膜晶体管的源极与所述第三电容的第一端和所述第五薄膜晶体管的漏极连接;所述第三电容的第二端与零电位连接;所述第五薄膜晶体管的栅极与并入信号连接;所述第五薄膜晶体管的源极与所述第一薄膜晶体管的顶栅连接。

8.根据权利要求1至7任一项所述的像素电路,其特征在于,所述第一电源信号、所述第二电源信号均为可变电源信号。

9.根据权利要求1至7任一项所述的像素电路,其特征在于,所述发光器件为有机发光二极管、微发光二极管以及次毫米发光二极管中的至少任一种。

10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的像素电路。

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