[发明专利]一种多模式正激式软开关高性能的开关电源电路

权利要求书

1.一种多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，其特征在于，包括MCU主控单元(1)、主电路单元(2)、变压器单元(3)、整流滤波单元(4)和故障检测单元(5)；

所述MCU主控单元(1)与主电路单元(2)中的斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3的门极相连，MCU主控单元(1)还与所述故障检测单元(5)相连；

所述故障检测单元(5)分别与主电路单元(2)中的斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3的源级和漏极相连，故障检测单元(5)还与整流滤波单元(4)中的电阻R5相连；

所述主电路单元(2)通过变压器单元(3)与整流滤波单元(4)相连；

所述主电路单元(2)包括电容C1、C2，电阻R1、R2、R3、R4，续流二极管D1、D2、D3，斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3，所述斩波功率MOS管Q1的漏极与电容C1和电阻R1组成的网络相连，同时电容C1和电阻R1另一端与续流二极管D1的阴极相连，续流二极管D1的阳极与斩波功率MOS管Q2的漏极相连，斩波功率MOS管Q1的源极与电容C2和电阻R2组成的网络相连，同时电容C2和电阻R2的另一端与续流二极管D2的阴极相连，续流二极管D2的阳极与电阻R3、R4的一端相连，同时与续流二极管D3的阳极相连，斩波功率MOS管Q2的源极与电阻R3的另一端相连，电阻R4的另一端与斩波功率MOS管Q3的源极相连；

所述的整流滤波单元(4)包括双体二极管D4、D5、电感L1、电阻R5和电容C3，所述双体二极管D4的阳极与4号副边线圈相连，双体二极管D4的阴极与电感L1的一端相连并连接Vout，所述电容C3的一端与地相连，另一端与Vout相连，所述双体二极管D5的阴极与双体二极管D4的阴极相连，双体二极管D5的阳极与GND相连。

2.根据权利要求1所述的多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，其特征在于，MCU主控单元(1)包括主控制芯片电路。

3.根据权利要求1所述的多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，其特征在于，所述变压器单元(3)包括变压器T1，变压器T1包括1号原边线圈、2号原边线圈、3号原边线圈、4号副边线圈、变压器骨架和5号磁铁。

4.根据权利要求3所述的多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，其特征在于，所述斩波功率MOS管Q3的漏极与变压器单元(3)的2号原边线圈相连，续流二极管D3的阴极与变压器单元(3)的3号原边线圈相连。

5.根据权利要求4所述的多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，其特征在于，所述1号原边线圈的一端与斩波功率MOS管Q1的源极相连，1号原边线圈的另一端与斩波功率MOS管Q2的漏极相连，所述2号原边线圈和3号原边线圈的一端与Vin相连，所述4号副边线圈的一端与整流滤波单元(4)中的二极管D4的阳极相连，4号副边线圈的另一端与GND相连。

6.根据权利要求3所述的多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，其特征在于，所述变压器T1采用多级缠绕的模式。

7.根据权利要求6所述的多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，其特征在于，1号原边线圈单独缠绕，2号原边线圈和3号原边线圈并联缠绕。