[发明专利]用于界面导热材料的氮化硼复合结构填料的制备方法

说明书

本发明涉及界面导热材料的制备技术，旨在提供一种用于界面导热材料的氮化硼复合结构填料的制备方法。包括：将氮化硼粉体以氢氧化钠溶液进行亲水性处理；处理后的氮化硼粉末加入金属无机盐水溶液，常温下搅拌；过滤但不清洗，潮湿粉体放入管式炉中，在氧气气氛下烧结，得到的粉体即氮化硼复合结构填料。本发明通过在氮化硼片间生长出棒状的金属氧化物颗粒，提升了氮化硼片与片之间的高效导热通路数量，降低了整个体系填料的界面热阻，提升了导热系数。能在保证导热系数的前提下较好的利用了硅油的低介电常数，使得最终的导热材料的介电常数小于4。本发明原料易获得、制备工艺简单、成本低，可以应用于大规模工业化生产。

技术领域

本发明属于界面导热材料的制备技术，具体涉及一种用于低介电常数的界面导热材料的氮化硼复合结构填料的制备方法。

背景技术

界面导热材料目前在电子、电气、航空、航天、通信、照明等众多制造业及高科技领域中有着极其广泛的应用。在通讯方面，随着5G的快速发展，高频率通讯产生的信号延迟效应更加明显。因此，对热界面材料的要求不再仅仅是高的导热率，还有更加低的介电常数(4)。

通常，界面导热材料由硅油、导热填料和一些其他添加剂组成。其中，硅油的介电常数在2～3，而导热填料的介电常数通常在10以上，而现有的界面导热材料市售产品的介电常数一般在6以上。因此，在降低界面导热材料的介电常数上主要有两个方向，其一是挑选介电常数较低的导热填料，其二是降低导热填料在界面导热材料中的填充份数。氮化硼具有4的介电常数，是一种较好的低介电导热填料。但是氮化硼的片状结构使其并不具备较好的填充度(50％)，且片与片之间的界面热阻非常之高，因而以纯氮化硼制备的导热界面材料最高只有2W/mk的导热系数。而一旦掺杂其他导热粉体，为了达到较高的导热系数，粉体总质量一般占这个界面导热材料90％以上，这样会导致介电常数急剧上升。

发明内容

本发明要解决的技术问题是，克服现有技术中的不足，提供一种用于界面导热材料的氮化硼复合结构填料的制备方法。

为解决技术问题，本发明的解决方案是：

提供一种用于界面导热材料的氮化硼复合结构填料的制备方法，包括以下步骤：

(1)取适量的氮化硼粉体，浸没在无水乙醇中；然后加入氢氧化钠溶液，在搅拌条件下回流冷凝处理；对混合物进行抽滤，得到氮化硼粉末；用乙醇和去离子水的混合液清洗数次后，烘干待用；

(2)将金属无机盐溶于去离子水，称取烘干的氮化硼粉末加入其中，常温下搅拌；

所述金属无机盐为含铝、铁、铜、镍的金属无机盐中的一种或几种，金属无机盐与氮化硼的质量比例为1:1～1:10；

(3)对步骤(2)中的混合物过滤但不清洗，将过滤所得潮湿粉体放入管式炉中，在氧气气氛下升温至800～1200℃，烧结3～24h后取出，得到的粉体即氮化硼复合结构填料。

本发明中，所述氮化硼为六方片状氮化硼，粒径为1～50um。

本发明中，氢氧化钠溶液的摩尔浓度为1mol/L，氢氧化钠溶液与氮化硼粉体的质量比为5:1～20:1。

本发明中，回流冷凝处理时，加热温度为60～100℃，处理时间为0.5～4h。

本发明中，所述金属无机盐是硫酸铝、硝酸铝、氯化铝、铝酸钠、硫酸铝铵、硫酸铁、硫酸亚铁、氯化铁、氯化亚铁、硝酸铁、硫酸亚铁铵、硫酸铜、氯化铜、硝酸铜、硫酸镍、氯化镍、硝酸镍中的至少一种。

本发明中，在烧结温度600℃时，控制升温速率为30～50℃/min；在烧结温度600℃时，控制升温速率为1～5℃/min。

本发明进一步提供了前述方法制备得到的氮化硼复合结构填料的用途，是将氮化硼复合结构填料用于界面导热材料的制备；具体包括以下步骤：