[发明专利]恒定跨导偏置电路有效
申请号: | 202010191331.3 | 申请日: | 2020-03-18 |
公开(公告)号: | CN111416587B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 赵庆中;刘悦 | 申请(专利权)人: | 上海联影微电子科技有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 颜潇 |
地址: | 201899 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 恒定 偏置 电路 | ||
本申请提供了一种恒定跨导偏置电路,包括:电流产生模组、电流镜电路、电压产生模组、运放电路和恒定电流源。电流产生模组用于依据恒定电压产生第一电流。电流镜电路的第一端与电流产生模组电连接。电流镜电路的第二端用于电连接电源。电压产生模组的第一端与电流镜电路的第三端电连接。运放电路的第一端与电源电连接。运放电路包括第一MOS管和第二MOS管。第一MOS管的第一端与电压产生模组的第一端电连接。第二MOS管的第一端与电压产生模组的第二端电连接。第二MOS管的第二端与第一MOS管的第二端共接。恒定电流源的第一端与第二MOS管的第三端电连接。恒定电流源的第二端和运放电路的第二端共接地。
技术领域
本申请涉及偏置电路技术领域,特别是涉及恒定跨导偏置电路。
背景技术
恒定的跨导偏置电路广泛应用于集成电路设计,如射频前端、光通信前端、gm-c滤波器等电路系统中。而传统的跨导偏置电路如模拟CMOS集成电路设计(毕查德.拉扎维著)一书中提出的,其跨导是与电阻相关的。而电阻的阻值虽然与电压无关,但是电阻的阻值是随温度和工艺变化的,所以CMOS的跨导还是会随着温度和工艺变化。
也就是说,工艺、温度、电压的变化都会影响现有跨导偏置电路内MOS管的跨导,导致其跨导变化过大。
发明内容
基于此,有必要针对现有跨导偏置电路因受工艺、温度、电压的影响,导致其跨导变化过大的问题,提供一种恒定跨导偏置电路。
一种恒定跨导偏置电路,包括:
电流产生模组,用于依据恒定电压产生第一电流;
电流镜电路,所述电流镜电路的第一端与所述电流产生模组电连接,所述电流镜电路的第二端用于电连接电源,用于基于所述第一电流生成并输出第二电流;
电压产生模组,所述电压产生模组的第一端与所述电流镜电路的第三端电连接,用于根据所述第二电流产生共模电压;
运放电路,所述运放电路的第一端与所述电源电连接,所述运放电路包括第一MOS管和第二MOS管,所述第一MOS管的第一端与所述电压产生模组的第一端电连接,所述第二MOS管的第一端与所述电压产生模组的第二端电连接,所述第二MOS管的第二端与所述第一MOS管的第二端共接;
恒定电流源,所述恒定电流源的第一端与所述第二MOS管的第三端电连接,所述恒定电流源的第二端和所述运放电路的第二端共接地;
所述电压产生模组用于将所述共模电压输入至所述第一MOS管的第一端和所述第二MOS管的第一端。
在其中一个实施例中,所述运放电路还包括:
第三MOS管,所述第三MOS管的第一端与所述电源电连接,所述第三MOS管的第二端和第三端与所述第一MOS管的第三端共接;
第四MOS管,所述第四MOS管的第一端与所述电源电连接,所述第四MOS管的第二端与所述第三MOS管的第二端电连接;
第五MOS管,所述第五MOS管的第一端与所述电源电连接,所述第五MOS管的第二端与所述第四MOS管的第三端和所述第二MOS管的第三端共接;
第六MOS管,所述第六MOS管的第一端和第二端均与所述第五MOS管的第三端共接;以及
第七MOS管,所述第七MOS管的第一端与所述第二MOS管的第二端和所述第一MOS管的第二端共接,所述第七MOS管的第二端与所述第六MOS管的第一端电连接,所述第七MOS管的第三端和所述第六MOS管的第三端共接地。
在其中一个实施例中,所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第六MOS管和所述第七MOS管均为NMOS管,所述第三MOS管、所述第四MOS管和所述第五MOS管均为PMOS管。
在其中一个实施例中,所述运放电路包括:
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