[发明专利]GOA电路有效

专利信息
申请号: 202010190340.0 申请日: 2020-03-18
公开(公告)号: CN111223452B 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 薛炎 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 刁文魁
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: goa 电路
【权利要求书】:

1.一种GOA电路,其特征在于,包括级联的多个GOA电路共享单元,其中,第n级GOA电路共享单元包括:上拉控制单元、第一上拉单元、第二上拉单元、反馈单元、第一下拉维持单元、第二下拉维持单元、第三下拉维持单元、第一下拉单元、第二下拉单元、反相单元及自举电容;

其中所述上拉控制单元、所述第一上拉单元、所述反馈单元、所述第一下拉维持单元、所述反相单元及所述第一下拉单元均电性连接至第一节点;

所述第二上拉单元接入级传信号及第一直流电源;

所述第三下拉维持单元接入第二直流电源;

所述第一下拉维持单元、所述反相单元、所述第一下拉单元及所述第二下拉维持单元均电性连接至第二节点;

所述第二下拉维持单元及第三下拉维持单元分别输出第一控制信号及第二控制信号;

所述第一下拉维持单元还接入第三直流电源;

所述上拉控制单元还接入第一脉冲信号;

所述第一上拉单元还接入第二脉冲信号;

除第一级GOA电路共享单元外,在第n级GOA电路单元中:

所述上拉控制单元接入上一级级传信号;

所述第一下拉单元及所述第二下拉单元均接入下五级级传信号;

所述第一上拉单元包括:第二十三薄膜晶体管,所述第二十三薄膜晶体管的栅极电性连接至第一节点,所述第二十三薄膜晶体管的源极接入第二脉冲信号,所述第二十三薄膜晶体管的漏极接入第一控制信号。

2.如权利要求1所述的GOA电路,其特征在于,除第一级GOA电路共享单元外,在第n级GOA电路共享单元中:

所述上拉控制单元包括:第十一薄膜晶体管及第十二薄膜晶体管;所述第十一薄膜晶体管的栅极及所述第十二薄膜晶体管的栅极均接入第一脉冲信号;所述第十一薄膜晶体管的源极接入上一级级传信号;所述第十一薄膜晶体管的漏极及所述第十二薄膜晶体管的源极均电性连接至第三节点;所述第十二薄膜晶体管的漏极电性连接至第一节点;

所述第一下拉单元包括:第三十二薄膜晶体管及第三十三薄膜晶体管;所述第三十二薄膜晶体管及所述第三十三薄膜晶体管的栅极均接入下五级级传信号;所述第三十二薄膜晶体管的源极电性连接至第一节点;所述第三十二薄膜晶体管的漏极及所述第三十三薄膜晶体管的源极均电性连接至第三节点;所述第三十三薄膜晶体管的漏极电性连接第三直流电源;

所述第二下拉单元包括:第三十一薄膜晶体管,所述第三十一薄膜晶体管的栅极接入下五级级传信号;所述第三十一薄膜晶体管的漏极电性连接第二控制信号;所述第三十一薄膜晶体管的源极接入第二直流电源。

3.如权利要求1所述的GOA电路,其特征在于,所述反馈单元包括:第六薄膜晶体管,所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接至第一节点,所述第六薄膜晶体管的源极接入级传信号,所述第六薄膜晶体管的漏极电性连接至第三节点。

4.如权利要求1所述的GOA电路,其特征在于,所述第二上拉单元包括:第二十一薄膜晶体管及第二十二薄膜晶体管;

所述第二十一薄膜晶体管及所述第二十二薄膜晶体管的栅极均电性连接第一节点;

所述第二十一薄膜晶体管及所述第二十二薄膜晶体管的源极均接入第一直流电源;

所述第二十一薄膜晶体管的漏极接入第二控制信号;以及

所述第二十二薄膜晶体管的漏极接入级传信号。

5.如权利要求1所述的GOA电路,其特征在于,所述第一下拉维持单元包括:第四十四薄膜晶体管及第四十五薄膜晶体管;

所述第四十四薄膜晶体管及所述第四十五薄膜晶体管的栅极均电性连接至第二节点;

所述第四十四薄膜晶体管及所述第四十五薄膜晶体管的漏极均电性连接至第三节点;

所述四十四薄膜晶体管的源极电性连接至第一节点;

所述第四十五薄膜晶体管的源极接入第一直流电源。

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