[发明专利]一种5G介质波导滤波器负零点结构

权利要求书

1.一种5G介质波导滤波器负零点结构，包括介质本体(1)，所述介质本体(1)上设置有四个或者四个以上的谐振腔(2)，所述多个谐振腔(2)之间通过多个隔离通槽(3)分隔，其特征在于：还包括有屏蔽盖(4)，所述介质本体(1)上开设有空气腔槽(5)，所述空气腔槽(5)设置于相对应的两个谐振腔(2)之间，所述空气腔槽(5)底部有耦合金属片(6)，在所述空气腔槽(5)底部位于耦合金属片(6)两端开设有盲孔(7)，所述空气腔槽(5)内有空气或者其他非金属物质作为介质，所述屏蔽盖(4)盖在空气腔槽(5)上，所述屏蔽盖(4)通过焊接或者压接工艺与介质本体(1)连接。

2.如权利要求1所述的5G介质波导滤波器负零点结构，其特征在于，所述谐振腔(2)上开设有调谐频率盲孔(8)，所述调谐频率盲孔(8)设置在与空气腔槽(5)背对的面上。

3.如权利要求1所述的5G介质波导滤波器负零点结构，其特征在于，所述介质本体(1)还连接有输入端口(9)、输出端口(10)，所述输入端口(9)、输出端口(10)设置在空气腔槽(5)相同的面上。

4.如权利要求1所述的5G介质波导滤波器负零点结构，其特征在于，所述耦合金属片(6)的宽度大于0.1mm，厚度大于3um。

5.如权利要求1所述的5G介质波导滤波器负零点结构，其特征在于，所述耦合金属片(6)经过印刷或者光刻镂空处理，形成不接地来改变电磁场。

6.如权利要求1所述的5G介质波导滤波器负零点结构，其特征在于，所述屏蔽盖(4)由金属或者陶瓷类基材经金属化处理后制成。

7.如权利要求1所述的5G介质波导滤波器负零点结构，其特征在于，所述介质本体(1)由介电常数ER在2～150范围内的非金属介质制成。

8.如权利要求1所述的5G介质波导滤波器负零点结构，其特征在于，所述介质本体(1)表面做金属化屏蔽处理覆盖金属层，所述金属层厚度大于3um。

9.如权利要求8所述的5G介质波导滤波器负零点结构，其特征在于，所述空气腔槽(5)内壁未覆盖金属层。