[发明专利]发光元件、显示装置、电子设备及照明装置有效
| 申请号: | 202010173032.7 | 申请日: | 2016-09-20 |
| 公开(公告)号: | CN111354874B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
| 发明(设计)人: | 濑尾哲史;渡部刚吉;光森智美 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H10K50/10 | 分类号: | H10K50/10;H10K50/115;H10K50/125;H10K50/12;H10K85/30;H10K85/60;H10K50/85;C09K11/02;C09K11/06 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 贾成功 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 元件 显示装置 电子设备 照明 装置 | ||
1.一种发光元件,包括:
一对电极;以及
所述一对电极之间的层,该层包括客体材料及主体材料,
其中,所述客体材料能够将三重激发能量转换为发光,
所述客体材料的HOMO能级高于所述主体材料的HOMO能级,
所述客体材料的LUMO能级高于所述主体材料的LUMO能级,
所述客体材料在发射光谱的红色波长区域中具有发光峰值,以及
所述主体材料的所述LUMO能级与所述客体材料的所述HOMO能级之间的能量差为从所述客体材料的吸收光谱的吸收端算出的迁移能量以上。
2.根据权利要求1所述的发光元件,
其中,所述客体材料的所述LUMO能级与所述客体材料的所述HOMO能级之间的能量差比从所述客体材料的所述吸收光谱的所述吸收端算出的所述迁移能量大0.3eV以上且0.8eV以下。
3.一种发光元件,包括:
一对电极;以及
所述一对电极之间的层,该层包括客体材料及主体材料,
其中,所述客体材料能够将三重激发能量转换为发光,
所述客体材料的HOMO能级高于所述主体材料的HOMO能级,
所述客体材料的LUMO能级高于所述主体材料的LUMO能级,
所述客体材料在发射光谱的红色波长区域具有发光峰值,以及
所述主体材料的所述LUMO能级与所述客体材料的所述HOMO能级之间的能量差为所述客体材料的发光能量以上。
4.根据权利要求3所述的发光元件,其中所述客体材料的所述LUMO能级与所述客体材料的所述HOMO能级之间的能量差比从所述客体材料的吸收光谱的吸收端算出的迁移能量大0.3eV以上且0.8eV以下。
5.根据权利要求3所述的发光元件,其中所述客体材料的所述LUMO能级与所述客体材料的所述HOMO能级之间的能量差比所述客体材料的所述发光能量大0.3eV以上且0.8eV以下。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件,其中所述主体材料的单重激发能级与三重激发能级之间的差大于0eV且0.2eV以下。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件,其中所述主体材料能够在室温下呈现热活化延迟荧光。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件,其中所述主体材料能够对所述客体材料供应激发能量。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件,其中所述主体材料的发射光谱包括与所述客体材料的所述吸收光谱中的最低能量一侧的吸收带重叠的波长区域。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件,其中所述客体材料包含铱。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件,其中所述客体材料是具有异喹啉配体的有机金属配合物。
12.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件,其中所述主体材料能够传输电子及空穴。
13.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件,
其中所述主体材料具有二嗪骨架和吡咯骨架。
14.根据权利要求13所述的发光元件,
其中所述二嗪骨架是嘧啶骨架、吡嗪骨架和哒嗪骨架中的任一个,以及
所述吡咯骨架是吲哚骨架、咔唑骨架和9-苯基-3,3’-联-9H-咔唑骨架中的任一个。
15.根据权利要求13所述的发光元件,
其中所述二嗪骨架与所述吡咯骨架直接键合。
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