[发明专利]一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法与应用

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，包括，

至少两个发射器，每一所述发射器包括至少两个发射单元，所述至少两个发射单元之间设置有第一导电连接层；

至少一个绝缘区，设置在所述发射器之间；

其中，所述至少两个发射器通过串联连接；

其中，所述至少两个发射单元之间设置有第二沟槽，所述第二沟槽的长度大于所述发射单元的长度；

其中，至少两个所述发射单元通过焊盘电极连接，部分所述焊盘电极位于所述第二沟槽内；

其中，所述第一导电连接层位于所述第二沟槽内，所述第一导电连接层的一端还连接所述焊盘电极；

其中，每一所述发射单元内包括第二导电连接层，所述第二导电连接层位于所述发射单元的第二接触层上；

其中，所述焊盘电极接触并设置在所述第二导电连接层上，相邻两个所述发射器之间通过所述焊盘电极及所述第一导电连接层串联。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，每一所述发射单元包括一发光孔，所述发光孔包括长轴及短轴，所述长轴的长度大于所述短轴的长度。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述第二沟槽暴露所述发射单元的第一接触层，所述第一导电连接层接触所述第一接触层。

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，相邻两个所述发射器之间设置有第三沟槽，所述第三沟槽的长度大于所述发射单元的长度，所述第三沟槽暴露所述发射单元的衬底。

5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述绝缘区设置在所述第三沟槽内，所述绝缘区接触所述衬底。

6.一种垂直腔面发射激光器阵列的制造方法，其特征在于，包括，

形成至少两个发射器，每一所述发射器包括至少两个发射单元，所述发射单元之间设置有第一导电连接层；

形成至少一个绝缘区于所述至少两个发射器之间；

其中，所述至少两个发射器通过串联连接；

其中，所述至少两个发射单元之间设置有第二沟槽，所述第二沟槽的长度大于所述发射单元的长度

其中，至少两个所述发射单元通过焊盘电极连接，部分所述焊盘电极位于所述第二沟槽内，

其中，所述第一导电连接层位于所述第二沟槽内，所述第一导电连接层的一端还连接所述焊盘电极；

每一所述发射单元内包括第二导电连接层，所述第二导电连接层位于所述发射单元的第二接触层上；

其中，所述焊盘电极接触并设置在所述第二导电连接层上，相邻两个所述发射器之间通过所述焊盘电极及所述第一导电连接层串联。

7.一种光发射装置，其特征在于，包括，

基板；

至少一发光元件，所述至少一发光元件包括至少一垂直腔面发射激光器阵列；

其中，所述至少一垂直腔面发射激光器阵列，包括，

至少两个发射器，每一所述发射器包括至少两个发射单元，所述至少两个发射单元之间设置有第一导电连接层；

至少一个绝缘区，设置在所述发射器之间；

其中，所述至少两个发射器通过串联连接；

其中，所述至少两个发射单元之间设置有第二沟槽，所述第二沟槽的长度大于所述发射单元的长度

其中，至少两个所述发射单元通过焊盘电极连接，部分所述焊盘电极位于所述第二沟槽内，

其中，所述第一导电连接层位于所述第二沟槽内，所述第一导电连接层的一端还连接所述焊盘电极；

其中，每一所述发射单元内包括第二导电连接层，所述第二导电连接层位于所述发射单元的第二接触层上；

其中，所述焊盘电极接触并设置在所述第二导电连接层上，相邻两个所述发射器之间通过所述焊盘电极及所述第一导电连接层串联。