[发明专利]一种APD保护装置

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管APD保护装置，其特征在于，包括：保护电路和APD芯片；其中，

所述保护电路包括：第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻和第二电阻；所述第一三极管连接在所述第一电阻和所述APD芯片之间，所述第二三极管与所述第一电阻并联，所述第三三极管与所述第二三极管串联，且所述第三三极管的基极与所述第一三极管的基极连接，所述第三三极管的漏极通过第二电阻接地；

所述第二三极管用于控制所述第一电阻上的压降，所述第三三极管用于控制所述第一三极管的基极电压，以使所述APD芯片的光生电流控制所述第一三极管的关断。

2.根据权利要求1所述的APD保护装置，其特征在于，所述APD芯片的光生电流控制所述第一三极管的关断，包括：

所述APD芯片的光生电流小于等于APD电流阈值的情况下，所述第一电阻上的压降小于所述第二三极管的导通电压，所述第一三极管为导通状态；

所述APD芯片的光生电流大于所述APD电流阈值的情况下，所述第一电阻上的压降大于所述第二三极管的导通电压，所述第一三极管为截止状态；

其中，所述第一三极管、所述第二三极管和所述第三三极管的导通电压相等。

3.根据权利要求2所述的APD保护装置，其特征在于，

所述APD电流阈值为根据所述第一三极管的导通电压与所述第一电阻的阻抗值计算得到的。

4.根据权利要求1所述的APD保护装置，其特征在于，

所述第二三极管的基极和集电极相连，所述三三极管的基极和集电极相连。

5.根据权利要求1所述的APD保护装置，其特征在于，还包括：过渡块；其中，

所述保护电路和所述APD芯片均设置在所述过渡块上。

6.根据权利要求5所述的APD保护装置，其特征在于，还包括：管壳；其中，

所述保护电路、所述APD芯片和所述过渡块均封装在所述管壳内。

7.根据权利要求6所述的APD保护装置，其特征在于，还包括：第一管壳管腿、第二管壳管腿和第三管壳管腿；其中，

所述第一管壳管腿通过打线与所述APD芯片的正极连接，所述第一管壳管腿作为所述APD保护装置的正极；

所述第二管壳管腿与所述第二三极管的发射极和所述第一电阻均连接，所述第二管壳管腿作为所述APD保护装置的负极；

所述第三管壳管腿与所述第二电阻连接，所述第三管壳管腿作为所述APD保护装置的接地极。

8.根据权利要求6所述的APD保护装置，其特征在于，还包括：光纤组件；其中，

所述光纤组件用于发射光信号至所述管壳内，使所述光信号与所述APD芯片耦合。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的APD保护装置，其特征在于，还包括：电容，所述电容的耐压值大于等于目标电压阈值；其中，

所述APD芯片的负极通过所述电容接地。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的APD保护装置，其特征在于，

所述APD芯片的正极与跨阻放大器TIA电路连接，所述保护电路与APD高压电路连接。