[发明专利]一种太赫兹相机、太赫兹成像系统及应用有效
申请号: | 202010138337.4 | 申请日: | 2020-03-03 |
公开(公告)号: | CN111323385B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 马景龙;吴晓君;李玉同 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | G01N21/3581 | 分类号: | G01N21/3581;H01L31/103 |
代理公司: | 北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11521 | 代理人: | 刘丹妮;姚望舒 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 赫兹 相机 成像 系统 应用 | ||
1.一种太赫兹相机,其特征在于,所述太赫兹相机包括:P-N结单元阵列和处理模块,其中:
所述P-N结单元阵列包括多个P-N结单元,所述处理模块分别与每个P-N结单元电连接;所述P-N结单元阵列用于将接收到的太赫兹波转换为电压信号,所述处理模块用于根据所述电压信号,确定所述太赫兹波的光斑轮廓;
所述P-N结单元为发光二极管。
2.根据权利要求1所述的太赫兹相机,其特征在于,所述P-N结单元的个数为4个以上。
3.根据权利要求2所述的太赫兹相机,其特征在于,所述P-N结单元的个数为16个以上。
4.根据权利要求3所述的太赫兹相机,其特征在于,所述P-N结单元的个数为100个以上。
5.根据权利要求1所述的太赫兹相机,其特征在于,所述发光二极管通过以下方法制备:
将半导体材料芯片用固化到支架上,然后用导电线连接所述芯片和电路板,四周用环氧树脂密封,制得所述发光二极管。
6.根据权利要求1所述的太赫兹相机,其特征在于,所述太赫兹相机进一步包括:显示模块;
其中,所述显示模块与所述处理模块电连接,所述显示模块用于将所述太赫兹波的光斑轮廓进行显示。
7.根据权利要求1所述的太赫兹相机,其特征在于:
所述处理模块具体包括多个处理子模块,所述多个处理子模块与所述多个P-N结单元一一对应且电连接,
所述电压信号相应包括多个子电压信号,所述多个子电压信号与所述多个P-N结单元一一对应。
8.根据权利要求7所述的太赫兹相机,其特征在于,每个P-N结单元用于接收所述太赫兹波中的部分太赫兹波,并将接收到的部分太赫兹波转换为对应的子电压信号;和/或
每个处理子模块用于根据对应的P-N结单元转换得到的子电压信号,确定对应的P-N结单元接收到的部分太赫兹波的强度分布。
9.一种太赫兹成像系统,其特征在于,所述太赫兹成像系统包括:如权利要求1至8中任一项所述的太赫兹相机、飞秒激光器和预设样品;
其中,所述太赫兹波通过所述飞秒激光器产生的泵浦激光照射所述预设样品产生。
10.根据权利要求9所述的太赫兹成像系统,其特征在于,所述预设样品选自以下一种或多种:有机晶体、铌酸锂晶体、等离子体。
11.根据权利要求10所述的太赫兹成像系统,其特征在于,所述预设样品为铌酸锂晶体。
12.根据权利要求9所述的太赫兹成像系统,其特征在于,所述成像系统进一步包括:聚焦模块;
所述聚焦模块设置在所述预设样品与所述P-N结单元阵列之间,待成像物体设置在所述聚焦模块和所述P-N结单元阵列之间;
所述聚焦模块用于将所述太赫兹波聚焦至所述待成像物体上。
13.根据权利要求12所述的太赫兹成像系统,其特征在于,所述聚焦模块包括:聚焦透镜或抛物面镜。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的太赫兹成像系统的使用方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
(1)将待成像物体设置于所述预设样品和所述P-N结单元阵列之间;
(2)所述太赫兹波经待成像物体后,由所述P-N结单元阵列接收,并通过所述处理模块确定待成像物体的像。
15.一种太赫兹成像方法,其特征在于,所述方法使用权利要求1至8中任一项所述的太赫兹相机或权利要求9至13中任一项所述的太赫兹成像系统。
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