[发明专利]耐高温、抗氧化红外低发射率复合薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202010138304.X | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111321382A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张丽;马晓东;张敏;殷举航;代灵鹭;文静;翁小龙;陆海鹏;邓龙江 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耐高温 氧化 红外 发射 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.耐高温、抗氧化的低红外发射率复合薄膜，为双功能层叠加结构，其特征在于：从下至上依次包括低发射率功能层、氧化隔绝层，使用时以其最下层覆着于目标物体表面；
所述低发射率功能层为连续成膜的高温导电陶瓷薄膜，厚度≥200nm；氧化隔绝层为Al2O3薄膜，厚度50～150nm。
2.如权利要求1所述耐高温、抗氧化的低红外发射率复合薄膜，其特征在于：所述低发射率功能层为ZrB2、HfB2或TiN薄膜。
3.如权利要求1所述耐高温、抗氧化的低红外发射率复合薄膜，其制备方法如下：
首先在目标物体表面制备低发射率功能层；然后再制备Al2O3氧化隔绝层即可。
4.如权利要求3所述耐高温、抗氧化的低红外发射率复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述低发射率功能层采用直流磁控溅射方法制备，氧化保护膜采用射频磁控溅射方法制备。
5.如权利要求3所述耐高温、抗氧化的低红外发射率复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述耐高温、抗氧化的低红外发射率复合薄膜制备完成后还包括在真空条件中进行热处理。
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