[发明专利]工艺角检测方法及系统、设备、存储介质

说明书

一种工艺角检测方法及系统、设备、存储介质，工艺角检测方法用于获取SRAM单元器件的最差工艺角，SRAM单元器件包括上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管，包括：获取多个SRAM单元器件的电性数据，且同一个SRAM单元器件中的上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性数据构成一组第一数据组；利用多个第一数据组建立三维正态分布模型，三维正态分布模型的形状为椭球体；从所述第一数据组中提取与所述椭球体的表面位置处相对应的多组待测数据组；对多组待测数据组进行仿真，获得多个相对应的写噪声容限；提取多个写噪声容限中的最小值所对应的待测数据组，作为最差工艺角。本发明提高工艺角检测的精准度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种工艺角检测方法及系统、设备、存储介质。

背景技术

在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：逻辑、存储器和模拟电路，存储器件在集成电路产品中占了相当大的比例。其中，由于静态随机存储器(StaticRandom Access Memory，SRAM)具有低功耗和较快工作速度等优点，使得SRAM单元器件受到越来越多的关注。

SRAM单元器件主要包括上拉(PU，Pull Up)晶体管、下拉(PD，Pull Down)晶体管以及传输门(PG，Pass Gate)晶体管，其中，下拉晶体管和传输门晶体管为NMOS晶体管，上拉晶体管为PMOS晶体管。

目前，通过获取SRAM的读噪声容限(read noise margin，RNM)、写噪声容限(writenoise margin，WNM)、读电流和关态漏电流等特性，用于表征其性能。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种工艺角检测方法及系统、设备、存储介质，提高工艺角检测的精准度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种工艺角检测方法，用于获取SRAM单元器件的最差工艺角，所述SRAM单元器件包括上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管，包括：获取多个所述SRAM单元器件的电性数据，且同一个SRAM单元器件中的上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性数据构成一组第一数据组；利用多组所述第一数据组建立三维正态分布模型，所述三维正态分布模型的形状为椭球体；从所述第一数据组中提取与所述椭球体的表面位置处相对应的多组待测数据组；对所述多组待测数据组进行仿真，获得多个相对应的写噪声容限；提取所述多个写噪声容限中的最小值所对应的待测数据组，作为所述写噪声容限的最差工艺角。

相应地，本发明实施例还提供一种工艺角检测系统，用于获取SRAM单元器件的最差工艺角，所述SRAM单元器件包括上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管，包括：测试模块，用于获取多个所述SRAM单元器件的电性数据，且同一个所述SRAM单元器件中的上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性数据构成一组第一数据组；建模模块，用于利用多组所述第一数据组建立三维正态分布模型，所述三维正态分布模型的形状为椭球体；第一数据提取模块，用于从所述第一数据组中提取与所述椭球体的表面位置处相对应的多组待测数据组；仿真模块，用于对所述多组待测数据组进行仿真，获得多个相对应的写噪声容限；第二数据提取模块，用于提取所述多个写噪声容限中的最小值所对应的待测数据组，作为所述写噪声容限的最差工艺角。

相应地，本发明实施例还提供一种设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现本发明实施例所述的工艺角检测方法。

相应地，本发明实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现本发明实施例所述的工艺角检测方法。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：