[发明专利]通过测试BJT发射结电压来监控探针台卡盘温度的方法在审
| 申请号： | 202010115918.6 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111256857A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 宛协情;李龚涛;刘晓明;俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 测试 bjt 发射 电压 监控 探针 卡盘 温度 方法 | ||
1.通过测试BJT发射结电压监控探针台卡盘温度的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供测试晶圆，整片所述测试晶圆按横纵划分为不同区域，每个所述区域分布有BJT器件；
步骤二、将所述测试晶圆置于探针台的卡盘上，根据所述BJT器件对温度的敏感性，对所述测试晶圆上不同区域的所述BJT器件进行发射结电压测试；
步骤三、将测试得到的整片所述测试晶圆上不同区域的发射结电压按所述BJT器件所在区域绘制为数据图；
步骤四、提供所述BJT器件发射结电压与温度的关系式，根据所述发射结电压与温度的关系式，计算所述卡盘的温度分布。
2.根据权利要求1所述的通过测试BJT发射结电压监控探针台卡盘温度的方法，其特征在于：该方法还包括步骤五、对所述卡盘不同区域进行温度抽检测试，将该抽检测试结果与步骤四中得到的卡盘上对应区域的温度进行对比。
3.根据权利要求2所述的通过测试BJT发射结电压监控探针台卡盘温度的方法，其特征在于：步骤五中利用热敏电阻温度测试仪对所述卡盘不同区域进行温度抽检测试。
4.根据权利要求3所述的通过测试BJT发射结电压监控探针台卡盘温度的方法，其特征在于：步骤一中所述测试晶圆上每个区域分布的所述BJT器件为NPN型晶体管。
5.根据权利要求4所述的通过测试BJT发射结电压监控探针台卡盘温度的方法，其特征在于：步骤四中为NPN型晶体管的所述BJT器件发射结电压与温度的关系式为：Y＝-0.0018X+0.7736，其中Y表示发射结电压，X表示温度。
6.根据权利要求3所述的通过测试BJT发射结电压监控探针台卡盘温度的方法，其特征在于：步骤一中所述测试晶圆上每个区域分布的所述BJT器件为PNP型晶体管。
7.根据权利要求6所述的通过测试BJT发射结电压监控探针台卡盘温度的方法，其特征在于：步骤四中为PNP型晶体管的所述BJT器件发射结电压与温度的关系式为：Y＝0.0017X-0.7739，其中Y表示发射结电压，X表示温度。
8.根据权利要求1所述的通过测试BJT发射结电压监控探针台卡盘温度的方法，其特征在于：步骤二中所述探针台上设有SMU量测单元，该SMU量测单元的精度为2uV。
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