[发明专利]一种垂直腔面发射激光器、列阵及制作方法

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器制作方法，其特征在于，包括：

S1，在N型GaAs衬底上依次沉积生长下DBR反射镜层、N型波导层、泵浦光有源层、P型波导层、氧化限制层、P型GaAs盖层制备出第一外延晶片，作为泵浦器；

S2，对所述外延晶片的P型GaAs盖层预定区域进行光刻，获得垂直耦合器结构；

S3，在所述第一外延晶片的上表面依次沉积异质外延InP缓冲层、发射光有源层、InP波导层，得到第二外延晶片，作为发光器，所述泵浦器通过所述垂直耦合器结构与所述发光器实现光学耦合；

S4，对所述第二外延晶片上表面刻蚀，制作出发光器台面；

S5，在所述发光器台面上表面生长上DBR反射镜层；

S6，对所述上DBR反射镜层刻蚀形成圆形上DBR反射镜层；

S7，在所述第二外延晶片上表面与所述发光器台面预定距离处设置P面电极层以及在所述第一外延晶片的下表面设置N面电极层;

还包括：对所述发光器台面的短边所在面镀高反射膜层;

所述垂直耦合器结构为一组周期性分布的槽型结构，所述槽型结构中的槽宽与相邻槽型间距的比值为0.5~0.95。

2.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器制作方法，其特征在于，所述泵浦器的台面长度与所述垂直耦合器结构的长度差为60μm~80μm，所述泵浦器的台面的宽度为所述泵浦器台面宽度减去50μm。

3.如权利要求2所述垂直腔面发射激光器制作方法，其特征在于，所述泵浦器的台面长度为200μm~1000μm，宽度为100μm~800μm，所述泵浦器的台面长度与宽度的比值为1:1~5:1。

4.如权利要求3所述垂直腔面发射激光器制作方法，其特征在于，所述P面电极层包括相互连接的与所述垂直耦合器结构长边平行的横向电极片和与短边平行的纵向电极片。

5.如权利要求4所述垂直腔面发射激光器制作方法，其特征在于，所述横向电极片与所述垂直耦合器结构的长边距离为5μm~20μm，所述纵向电极片与所述垂直耦合器结构的短边距离为10μm~30μm，所述横向电极片、所述纵向电极片的条宽范围为5μm~50μm。

6.一种垂直腔面发射激光器阵列制作方法，包括采用如权利要求1-5任意一项所述垂直腔面发射激光器制作方法。

7.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括采用如权利要求1-5任意一项所述垂直腔面发射激光器制作方法制成的激光器。

8.一种垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，包括多个按照预设阵列排布设置的如权利要求7所述垂直腔面发射激光器。