[发明专利]一种羟基氧化铁纳米片阵列的合成方法在审

专利信息
申请号: 202010098536.7 申请日: 2020-02-18
公开(公告)号: CN111268740A 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 杜洪方;艾伟;王珂;何松 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C01G49/02 分类号: C01G49/02;B82Y40/00
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 羟基 氧化铁 纳米 阵列 合成 方法
【权利要求书】:

1.一种羟基氧化铁纳米片阵列的合成方法,其特征在于步骤如下:

步骤1:将碱溶于水中得到浓度为0.1~25M的碱溶液;

步骤2:将高铁酸盐加入碱溶液中,搅拌得到紫红色高铁酸盐溶液,静置分离未溶解的高铁酸盐;所述比例为每100mL碱溶液中加入150mg高铁酸盐;

步骤3:将基底浸泡在高铁酸盐溶液中,静置1~50h;

步骤4:将基底取出,洗净烘干,得到生长在基底上的羟基氧化铁纳米片阵列材料。

2.根据权利要求1所述羟基氧化铁纳米片阵列的合成方法,其特征在于:所述基底为碳材料、金属材料、高分子材料或生物质材料。

3.根据权利要求1所述羟基氧化铁纳米片阵列的合成方法,其特征在于:所述碱为氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化锂。

4.根据权利要求1所述羟基氧化铁纳米片阵列的合成方法,其特征在于:所述的高铁酸盐为高铁酸钾或高铁酸钠。

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