[发明专利]权重单元和电子装置在审
| 申请号： | 202010091274.1 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN111580783A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 莱恩·M·海雀;提塔许·瑞许特;乔治·凯特尔;雷维基·森古普塔;达尔门达·帕勒;洪俊顾 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F7/523 | 分类号： | G06F7/523;G11C11/16;G11C11/22;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 | 代理人： | 李洁;董江虹 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 权重 单元 电子 装置 | ||
1.一种权重单元，包括：
第一场效应晶体管和第一电阻式存储器元件，所述第一电阻式存储器元件连接到所述第一场效应晶体管的漏极；以及
第二场效应晶体管和第二电阻式存储器元件，所述第二电阻式存储器元件连接到所述第二场效应晶体管的漏极，
其中所述第一场效应晶体管的所述漏极连接到所述第二场效应晶体管的栅极，且所述第二场效应晶体管的所述漏极连接到所述第一场效应晶体管的栅极。
2.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管包括n型场效应晶体管。
3.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管包括p型场效应晶体管。
4.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述第一电阻式存储器元件和所述第二电阻式存储器元件包括磁隧道结。
5.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述第一电阻式存储器元件和所述第二电阻式存储器元件包括电阻式随机存取存储器元件。
6.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述第一电阻式存储器元件和所述第二电阻式存储器元件包括铁电随机存取存储器元件。
7.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述第一电阻式存储器元件和所述第二电阻式存储器元件包括脉冲编码调制存储器元件。
8.根据权利要求1所述的权重单元，还包括到所述第一场效应晶体管的源极的第一外部连接和到所述第二场效应晶体管的源极的第二外部连接。
9.根据权利要求8所述的权重单元，还包括到所述第一电阻式存储器元件的引线的第三外部连接和到所述第二电阻式存储器元件的引线的第四外部连接。
10.根据权利要求1所述的权重单元，还包括到所述第一电阻式存储器元件的引线的第一外部连接和到所述第二电阻式存储器元件的引线的第二外部连接。
11.根据权利要求10所述的权重单元，还包括到所述第一场效应晶体管的源极的第三外部连接和到所述第二场效应晶体管的源极的第四外部连接。
12.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述权重单元基于所述第一电阻式存储器元件的电导和所述第二电阻式存储器元件的电导来产生逻辑值。
13.一种电子装置，包括：
权重单元阵列，每一权重单元包含：
第一场效应晶体管和第一电阻式存储器元件，所述第一电阻式存储器元件连接到所述第一场效应晶体管的漏极；以及
第二场效应晶体管和第二电阻式存储器元件，所述第二电阻式存储器元件连接到所述第二场效应晶体管的漏极，所述第一场效应晶体管的所述漏极连接到所述第二场效应晶体管的栅极，且所述第二场效应晶体管的所述漏极连接到所述第一场效应晶体管的栅极；以及
处理器，配置成通过以下操作来用所述权重单元阵列进行推断：
根据对应神经元的逻辑值来设定对所述权重单元阵列中的一行权重单元的输入；以及
读取所述权重单元阵列中的一列权重单元的输出。
14.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述处理器还配置成通过测量来自所读取的所述输出的总电流且将所述总电流除以输出电流来进行推断。
15.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述第一电阻式存储器元件和所述第二电阻式存储器元件包括磁隧道结。
16.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管包括n型场效应晶体管。
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