[发明专利]带隙基准电路及电子设备

权利要求书

1.一种带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路至少包括：

补偿模块，基于与绝对温度成正比的电流、温度系数为零的电流源及三极管的基极-发射极电压产生基准电压温度曲率的补偿电压；

基准电压产生模块，连接所述补偿模块，利用一个正温度系数电压与一个负温度系数电压的相互抵消产生一与温度无关的基准电压，并通过所述补偿电压补偿所述基准电压的温度曲率。

2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于：所述补偿模块包括第一电流源、第二电流源、第三电流源、第一NPN三极管、第二NPN三极管、第三NPN三极管、第四NPN三极管、第一NMOS管及第二NMOS管；

所述第一电流源的一端连接电源电压，另一端连接所述第一NPN三极管的集电极；所述第一NPN三极管的基极与集电极相连，发射极连接所述第二NPN三极管的集电极；所述第二NPN三极管的基极与集电极相连，发射极接地；

所述第三NPN三极管的集电极连接所述电源电压，基极连接所述第一NPN三极管的基极，发射极经由所述第二电流源接地；

所述第三电流源的一端连接所述电源电压，另一端连接所述第四NPN三极管的集电极；所述第四NPN三极管的基极连接所述第三NPN三极管的发射极，所述第四NPN三极管的发射极连接所述第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管的栅极连接所述第四NPN三极管的集电极，源极接地；所述第二NMOS管的源极接地，栅极连接所述第一NMOS管的栅极，漏极输出所述补偿电压。

3.根据权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于：所述第一电流源及所述第三电流源输出的电流与绝对温度成正比；所述第二电流源为恒流源，与温度无关。

4.根据权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于：所述第一NMOS管及第二NMOS管工作于线性区。

5.根据权利要求2～4任意一项所述的带隙基准电路，其特征在于：所述基准电压产生模块包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五NPN三极管、第六NPN三极管及第一放大器；

所述第一电阻的一端连接所述电源电压，另一端连接所述第五NPN三极管的集电极；所述第五NPN三极管的发射极经由所述第二电阻连接所述第三电阻的第一端；

所述第四电阻的一端连接所述电源电压，另一端连接所述第六NPN三极管的集电极；所述第六NPN三极管的发射极连接所述第三电阻的第一端；所述第三电阻的第二端连接所述补偿模块的输出端；

所述第一放大器的反相输入端连接所述第五NPN三极管的集电极，所述第一放大器的正相输入端连接所述第六NPN三极管的集电极，所述第一放大器的输出端输出所述基准电压并反馈至所述第五NPN三极管的基极及所述第六NPN三极管的基极。

6.根据权利要求2～4任意一项所述的带隙基准电路，其特征在于：所述基准电压产生模块包括第四电流源、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第七NPN三极管、第八NPN三极管、第九NPN三极管及第二放大器；

所述第五电阻的一端连接所述电源电压，另一端连接所述第七NPN三极管的集电极；所述第七NPN三极管的发射极经由所述第四电流源接地；

所述第六电阻的一端连接所述电源电压，另一端连接所述第八NPN三极管的集电极；所述第八NPN三极管的发射极经由所述第四电流源接地；

所述第二放大器的反相输入端连接所述第七NPN三极管的集电极，所述第二放大器的正相输入端连接所述第八NPN三极管的集电极，所述第二放大器的输出端输出所述基准电压并反馈至所述第八NPN三极管的基极；

所述第七电阻的一端连接所述第二放大器的输出端，另一端连接所述第七NPN三极管的基极；所述第八电阻的一端连接所述第七NPN三极管的基极，另一端连接所述第九NPN三极管的集电极；所述第九NPN三极管的基极与集电极相连，发射极连接所述补偿模块的输出端。