[发明专利]相关双采样电路、改变其输出信号的方法及图像传感器在审
申请号: | 202010078509.3 | 申请日: | 2020-02-03 |
公开(公告)号: | CN111556265A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 郑演焕;姜旋律;金勍台;蔡熙成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H04N5/378 | 分类号: | H04N5/378;H04N5/369 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 相关 采样 电路 改变 输出 信号 方法 图像传感器 | ||
1.一种相关双采样电路,所述相关双采样电路包括比较器,
其中,所述比较器包括:
信号输入单元,所述信号输入单元包括被配置为接收斜坡信号的第一晶体管以及被配置为接收像素信号的第二晶体管;以及
偏移产生单元,所述偏移产生单元连接到所述信号输入单元,所述偏移产生单元包括至少两个晶体管,
其中,在所述偏移产生单元中,所述至少两个晶体管在自动调零时间段内的宽长比与所述至少两个晶体管在像素信号译码时间段内的宽长比彼此不同。
2.根据权利要求1所述的相关双采样电路,其中,所述至少两个晶体管包括:
第三晶体管,所述第三晶体管连接到所述第一晶体管;
第一辅助晶体管,所述第一辅助晶体管与所述第三晶体管并联连接;
第四晶体管,所述第四晶体管连接到所述第二晶体管;以及
第二辅助晶体管,所述第二辅助晶体管与所述第四晶体管并联连接。
3.根据权利要求2所述的相关双采样电路,其中,在所述自动调零时间段内,所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第一辅助晶体管和所述第二辅助晶体管导通。
4.根据权利要求3所述的相关双采样电路,其中,在所述像素信号译码时间段内,所述第三晶体管和所述第四晶体管导通,所述第一辅助晶体管和所述第二辅助晶体管关断。
5.根据权利要求2所述的相关双采样电路,其中,所述比较器的比较节点设置在所述第一晶体管与所述第三晶体管的连接点处,所述比较器的输出节点设置在所述第二晶体管与所述第四晶体管的连接点处。
6.根据权利要求5所述的相关双采样电路,其中,所述相关双采样电路还包括第一开关和第二开关,所述第一开关用于连接所述第一晶体管的栅极与所述比较节点,所述第二开关用于连接所述第二晶体管的栅极与所述输出节点,其中,所述自动调零时间段是通过所述第一开关和所述第二开关的接通/断开开关操作来确定的。
7.根据权利要求2所述的相关双采样电路,所述相关双采样电路还包括:
第一电容器,所述第一电容器连接到所述第一晶体管的栅极;以及
第二电容器,所述第二电容器连接到所述第二晶体管的栅极,
其中,当所述自动调零时间段结束时,由所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第一辅助晶体管和所述第二辅助晶体管产生的偏移分量存储在所述第一电容器和所述第二电容器中的至少一者中。
8.根据权利要求2所述的相关双采样电路,所述相关双采样电路还包括:
第三开关,所述第三开关用于连接所述第三晶体管的栅极与所述第一辅助晶体管的栅极;以及
第四开关,所述第四开关用于连接所述第四晶体管的栅极与所述第二辅助晶体管的栅极。
9.根据权利要求8所述的相关双采样电路,其中,所述第三开关和所述第四开关在所述自动调零时间段内接通,
当所述自动调节零时间段结束时,所述第三开关和所述第四开关断开。
10.根据权利要求9所述的相关双采样电路,所述相关双采样电路还包括:
第五开关,所述第五开关用于连接所述第一辅助晶体管的所述栅极与所述比较器的电压源;以及
第六开关,所述第六开关用于连接所述第二辅助晶体管的所述栅极与所述比较器的所述电压源。
11.根据权利要求10所述的相关双采样电路,其中,在所述第三开关和所述第四开关断开之后,所述第五开关和所述第六开关接通,以将所述比较器的所述电压源的电压供应给所述第一辅助晶体管的所述栅极以及所述第二辅助晶体管的所述栅极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010078509.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:信息处理设备、信息处理方法和程序
- 下一篇:基板处理方法和成膜系统