[发明专利]离子阱及离子束缚方法在审

专利信息
申请号: 202010078223.5 申请日: 2020-01-23
公开(公告)号: CN113161214A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 林毅恒;李岳;肖正国;杜江峰 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H01J3/04 分类号: H01J3/04;H01J3/38
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 离子 束缚 方法
【权利要求书】:

1.一种离子阱,其特征在于,包括:

磁场发生装置、光场发生装置和可变电场发生装置;

磁场发生装置,用于产生约束磁场;

光场发生装置,用于产生形状可变的光场;

可变电场发生装置,用于通过所述光场,利用光伏效应,产生可变约束电场,所述可变约束电场的电势分布与所述光场分布一致,以通过所述约束磁场和所述可变约束电场分别操控每个离子。

2.根据权利要求1所述的离子阱,其特征在于,所述可变电场发生装置包括:

基板、导电层、电荷传输层和光伏层;

所述基板上依次镀有所述导电层、电荷传输层和光伏层;

所述导电层,用于使所述可变电场发生装置通过所述导电层接地,导出所述光伏层所产生的电荷;

所述电荷传输层,用于传输所述光伏层产生的电子或空穴;

所述光伏层,用于当所述光场的光照射到所述光伏层时,产生所述可变约束电场。

3.根据权利要求1或2所述的离子阱,其特征在于,所述离子阱还包括:

恒定电场发生装置,用于产生与所述可变约束电场方向相反的恒定约束电场,以通过所述约束磁场、所述恒定约束电场以及所述可变约束电场分别操控每个离子。

4.根据权利要求3所述的离子阱,其特征在于,所述离子阱还包括成像装置,所述成像装置的视窗朝向离子束缚区域。

5.根据权利要求4所述的离子阱,其特征在于,所述光场通过所述成像装置的视窗照射到所述可变电场发生装置上。

6.根据权利要求3所述的离子阱,其特征在于,所述离子阱还包括真空腔体,所述成像装置、磁场发生装置、所述可变电场发生装置、所述恒定电场发生装置均固定于所述真空腔体内。

7.根据权利要求1或2所述的离子阱,其特征在于,当所述磁场发生装置为两个永磁铁时,则所述离子阱还包括支架,所述两个永磁铁固定于所述支架内。

8.根据权利要求1或2所述的离子阱,其特征在于,所述光场发生装置为空间光调制器或数字微反射镜阵列或可变性反射镜或电控振镜。

9.一种离子束缚方法,其特征在于,包括:

产生约束磁场;

产生形状可变的光场;

通过所述光场,利用光伏效应,产生可变约束电场,所述可变约束电场的形状与所述光场的形状一致,以通过所述约束磁场和所述可变约束电场分别操控每个离子。

10.根据权利要求9所述的离子束缚方法,其特征在于,所述方法还包括:

产生与所述可变约束电场方向相反的恒定约束电场,以通过所述约束磁场、所述恒定约束电场以及所述可变约束电场分别操控每个离子。

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