[发明专利]一种金红石TiO2

权利要求书

1.一种金红石型110取向TiO₂单晶的处理工艺，其特征在于，所述处理工艺具体包括以下步骤：

S1)将金红石型110取向TiO₂单晶安装在样品架上，进行预处理；

S2)在超真空环境中对金红石型110取向TiO₂单晶进行除气；

S3)对经过S2)处理后的金红石型110取向TiO₂单晶进行超高真空内退火，得到拥有氧空位的金红石型110取向TiO₂单晶。

2.根据权利要求1所述的处理工艺，其特征在于，所述S1)具体工艺为：

S1.1)先用酒精清洗样品架；

S1.2)将金红石型110取向TiO₂单晶安装在导电衬底上，再安装在清洗后的样品架上。

3.根据权利要求2所述的处理工艺，其特征在于，所述S2)的具体步骤为：

S2.1)将安装有金红石型110取向TiO₂单晶的样品架上置于真空腔内；

S2.2)采用直流加热方式对金红石型110取向TiO₂单晶进行加热除气。

4.根据权利要求3所述的处理工艺，其特征在于，所述S3)中的退火工艺为：在超高真空环境中，提高电流，加热900-980℃，保温160-200min,即得到拥有氧空位的金红石型110取向TiO₂单晶。

5.根据权利要求3所述的处理工艺，其特征在于，所述S2.2)中直流加热方式：

S2.21)接通电流，微调电流，观察真空度变化，保持真空度在好于，

S2.22)待样品温度在200℃以上，保持20-40min。

6.根据权利要求1所述的处理工艺，其特征在于，所述S1.1)中样品架为直流样品架。

7.根据权利要求1所述的处理工艺，其特征在于，所述S1.1)中导电衬底为碳化硅。

8.根据权利要求6所述的处理工艺，其特征在于，所述直流样品架包括钼支架、电极压片、接电刷电极片和固定螺栓；

其中，2个所述接电刷电极片对称设置在所述钼支架的上端面，2个所述电极压片通过固定螺栓分别设置在2个所述接电刷电极片上。

9.根据权利要求3所述的处理工艺，其特征在于，所述S2.1)中的真空腔内的真空度不能低于5.0×10^-10mbar；

所述S2.2)中除气后真空腔内的真空度不能低于1.0×10^-8mbar。

10.根据权利要求4所述的处理工艺，其特征在于，所述超高真空环境的真空度不能低于5.0×10^-9mbar。