[发明专利]一种紧耦合低剖面超宽带双极化相控阵阵列天线

权利要求书

1.一种双极化相控阵天线，其特征在于，包括9层，从上到下依次为：L1～L9层；

L1、L2、L3、L4层为采用不同厚度和介电常数组合形成的宽角匹配层；

L5层为介质板，上表面设置有两组互相垂直的偶极子，由此构成领结型双偶极子天线；

L6层、L7层和L8层为介质层；

L9层为铝基板，其中，双偶极子天线的馈电过孔与铝基板连接。

2.如权利要求1所述的一种双极化相控阵天线，其特征在于，L1层是介电常数为10.2的Arlon AD1000介质层；L2层是介电常数为1.25的Rohacell 200WF介质层；L3层是介电常数为6.15的Rogers RO6006介质层；L4层是介电常数为3.2的Taconic TLC介质层。

3.如权利要求1所述的一种双极化相控阵天线，其特征在于，L5层为介质板的下表面设置圆环形金属贴片，其圆心与双极化偶极子末端的中心重合。

4.如权利要求1所述的一种双极化相控阵天线，其特征在于，两组偶极子末端围成的区域中，设有一个金属圆盘。

5.如权利要求1所述的一种双极化相控阵天线，其特征在于，每组偶极子长臂的馈电端口的直径大于短臂的馈电端口直径。

6.如权利要求1所述的一种双极化相控阵天线，其特征在于，L7层是介电常数为1.96的RT5880LZ介质层，在L7层的上下表面的边缘处设置“凹”型金属贴片，且该“凹”型金属贴片嵌在金属化的馈电过孔上。

7.如权利要求6所述的一种双极化相控阵天线，其特征在于，L8层对应于每对偶极子的馈电过孔位置开有圆环形开缝，圆环形开缝中间形成一个隔离的圆盘。

8.如权利要求1所述的一种双极化相控阵天线，其特征在于，L1层、L2层和L3层均在中部开有圆孔，该圆孔的圆心对准两组偶极子末端的中心。

9.如权利要求1所述的一种双极化相控阵天线，其特征在于，L1层、L2层和L3层的每一层的四角各开一个缺口，当天线单元阵列布置时，相邻4个角上的缺口围成一个圆柱形缺口。