[发明专利]一种移相器及天线有效
| 申请号： | 202010058496.3 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN113140878B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 孙拓;尹思懿;吴永晗 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/18 | 分类号： | H01P1/18;H01Q3/34 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;陈丽宁 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 移相器 天线 | ||
1.一种移相器，其特征在于，包括：
相对设置的第一基板和第二基板；
位于所述第一基板和所述第二基板之间的介电常数可调介质层；
移相单元，所述移相单元包括传输线及相控电极，所述传输线设置在所述第一基板与所述介电常数可调介质层之间，所述相控电极设置在所述第二基板与所述介电常数可调介质层之间；
及用于调控所述传输线的相对两侧电场的多条第一导线，多条所述第一导线在所述第一基板上的正投影与所述传输线在所述第一基板上的正投影平行，且多条所述第一导线在所述第一基板上的正投影位于所述传输线在所述第一基板上的正投影的相对两侧，并与所述传输线之间在所述传输线的线宽方向上具有第一间距；
其中，所述第一导线的线宽小于所述传输线的线宽，且所述第一导线与所述传输线上施加电压相同，所述第一导线为高阻导线，其电阻值为所述传输线的电阻值的2~3倍。
2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，
所述介电常数可调介质层为液晶层、锆钛酸铅层或者钛酸锶钡层。
3.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，
所述第一导线选用ITO或者IZO材料。
4.根据权利要求3所述的移相器，其特征在于，
所述第一导线的电阻值为70~80欧姆。
5.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，
所述第一导线的线宽为5~10nm。
6.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，
所述传输线的相对两侧中，每侧设置一条所述第一导线。
7.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，
所述传输线的相对两侧中，每侧设置至少两条所述第一导线，相邻两条所述第一导线之间具有第二间距。
8.根据权利要求7所述的移相器，其特征在于，
所述传输线的相对两侧中，每侧设置三条所述第一导线。
9.根据权利要求1至8任一项所述的移相器，其特征在于，所述传输线的走线为蛇形走线，每一条所述第一导线的走线为与所述传输线走向相同的蛇形走线。
10.一种天线，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的移相器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010058496.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
