[发明专利]图像传感器的抗弥散方法及图像传感器在审
| 申请号： | 202010050174.4 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111246134A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 王林;黄金德;胡万景 | 申请（专利权）人： | 锐芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/372;H04N5/361;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山市昆山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 弥散 方法 | ||
1.一种图像传感器的抗弥散方法，适用于CMOS图像传感器，所述CMOS图像传感器的每个像素单元包括N型晶体管，所述N型晶体管包括栅极和漏极，所述漏极包括第一电极和第二电极；
其特征在于，所述抗弥散方法包括：
在所述N型晶体管的漏极上施加第一抗弥散信号，所述第一抗弥散信号为高电平；
在所述N型晶体管的第一电极上施加第二抗弥散信号，在图像的曝光与转移期间内，所述第二抗弥散信号为周期性信号；
其中，在所述第二抗弥散信号的一个周期内，所述第二抗弥散信号在第一时间段内为第一电平，在第二时间段内为第二电平，所述第二抗弥散信号的周期小于所述曝光与转移期间。
2.根据权利要求1所述的抗弥散方法，其特征在于，所述图像的曝光与转移期间包括：
两个相邻的采样电平之间的间隔期间。
3.根据权利要求1所述的抗弥散方法，其特征在于，所述第一电平为高电平，所述第二电平为低电平。
4.根据权利要求1所述的抗弥散方法，其特征在于，所述第一电平为低电平，所述第二电平为高电平。
5.根据权利要求1所述的抗弥散方法，其特征在于，所述第一时间段与所述第二时间段的时长是可调的。
6.一种图像传感器，所述图像传感器的每个像素单元包括N型晶体管，所述N型晶体管包括栅极和漏极；所述栅极包括第一电极与第二电极；所述第一电极上适于施加第一抗弥散信号，所述漏极上适于施加第二抗弥散信号；其特征在于，所述图像传感器还包括：
第一抗弥散信号生成装置，适于向所述N型晶体管的漏极输出第一抗弥散信号，所述第一抗弥散信号为高电平；
第二抗弥散信号生成装置，适于向所述N型晶体管的第一电极输出第二抗弥散信号，在图像的曝光与转移期间内，所述第二抗弥散信号为周期性信号；其中，在所述第二抗弥散信号的一个周期内，所述第二抗弥散信号在第一时间段内为第一电平，在第二时间段内为第二电平，，所述第二抗弥散信号的周期小于所述曝光与转移期间。
7.根据权利要求6所述的抗弥散装置，其特征在于，所述图像的曝光与转移期间包括：
两个相邻的采样电平之间的间隔期间。
8.根据权利要求6所述的抗弥散装置，其特征在于，所述第一电平为高电平，所述第二电平为低电平。
9.根据权利要求6所述的抗弥散装置，其特征在于，所述第一电平为低电平，所述第二电平为高电平。
10.根据权利要求6所述的抗弥散装置，其特征在于，所述第一时间段与所述第二时间段的时长是可调的。
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