[发明专利]一种基于笔形波束的阵列赋形波束解析合成方法有效
| 申请号: | 202010047703.5 | 申请日: | 2020-01-16 |
| 公开(公告)号: | CN111262612B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
| 发明(设计)人: | 雷世文;田径;杨伟;林志鹏;胡皓全;陈波;邱翔东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H04B7/06 | 分类号: | H04B7/06;H04B7/08 |
| 代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 邹裕蓉 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 笔形 波束 阵列 赋形 解析 合成 方法 | ||
1.一种基于笔形波束的阵列赋形波束解析合成方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)初始化步骤:对N个阵列单元进行等距布置,各阵列单元的位置为dn,n=1…N,对阵列天线波束方向图的整个空间进行角度网格划分得到各波束方向θ,设置赋形波束的主瓣范围ΘML,设置期望赋形波束Fdesired,SBP;
2)确定笔形波束对应的阵列权系数wPBP,ωn,PBP表示在生成笔形波束时第n个阵元对应的权系数;
3)构造笔形波束fPBP(θ,θc):
其中,θc为主瓣波束的中心指向,H表示共轭转置,aE(θ,θc)=a(θ,θc)⊙E(θ),⊙表示点乘,阵列向量a(θ,θc)=[a1(θ,θc)…aN(θ,θc)]H,an(θ,θc)为第n个阵因子,远场电场强度向量E(θ)=[E1(θ)…EN(θ)]H,En(θ)为第n个阵元的远场电场强度;
4)利用笔形波束构建主瓣ΘML内各采样点对应的阵列波束向量赋形波束主瓣内的离散点变量lm=1,...,LM,其中,LM是赋形波束主瓣内的离散点总数;
5)计算赋形波束对应的加权系数其中,为第lm个赋形波束对应的加权系数;
6)得到合成的赋形波束fSBP(θ)与阵列中各个阵元的阵列权系数ωn为:
其中,κ为空间波数。
2.如权利要求1所述方法,其特征在于,Δθ为设置的波束方向步长Δθ,Δθ=1°,表示向下取整。
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