[发明专利]热电子发射器件

权利要求书

1.一种热电子发射器件，其特征在于，包括：

一栅极，该栅极的表面设置一绝缘层；

一第一电极及一第二电极间隔设置于所述绝缘层的表面并与所述栅极绝缘设置；

一根碳纳米管设置于所述绝缘层上方，所述碳纳米管具有相对的第一端和第二端以及位于第一端和第二端之间的中间部，所述碳纳米管的第一端与所述第一电极接触电连接，所述碳纳米管的第二端与所述第二电极接触电连接。

2.如权利要求1所述的热电子发射器件，其特征在于，所述碳纳米管的中间部形成有缺陷。

3.如权利要求2所述的热电子发射器件，其特征在于，所述碳纳米管的中间部形成有碳原子七元环或八元环。

4.如权利要求2所述的热电子发射器件，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管或双壁碳纳米管。

5.如权利要求1所述的热电子发射器件，其特征在于，所述碳纳米管的第一端设置于所述第一电极的表面，所述碳纳米管的第二端设置于所述第二电极的表面，该碳纳米管通过所述第一电极和所述第二电极悬空设置于所述绝缘层的上方。

6.如权利要求1所述的热电子发射器件，其特征在于，所述碳纳米管贴合设置于所述绝缘层的表面，所述第一电极设置于所述碳纳米管的第一端，所述第二电极设置于所述碳纳米管的第二端。

7.如权利要求1所述的热电子发射器件，其特征在于，所述绝缘层具有一通孔或盲孔，所述第一电极和所述第二电极分别设置于所述通孔或盲孔的两侧，所述碳纳米管在所述通孔或盲孔的上方悬空设置。

8.如权利要求1所述的热电子发射器件，其特征在于，所述绝缘层包括一第一绝缘层和一第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层间隔设置于所述栅极的表面。

9.如权利要求8所述的热电子发射器件，其特征在于，所述第一电极设置于所述第一绝缘层的表面，所述第二电极设置于所述第二绝缘层的表面，所述碳纳米管在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的上方悬空设置。

10.如权利要求1所述的热电子发射器件，其特征在于，所述碳纳米管的表面形成有一低逸出功层。