[发明专利]一种基于时间干涉的深部经颅磁线圈刺激装置在审
申请号: | 202010038587.0 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN111135465A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 魏熙乐;黄默媛;卢梅丽;伊国胜;王江;邓斌;于海涛;张镇;李会燕 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | A61N2/04 | 分类号: | A61N2/04 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 程毓英 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 时间 干涉 深部经颅磁 线圈 刺激 装置 | ||
1.一种基于时间干涉的深部经颅磁线圈刺激装置,包括两个线圈单元和两个高频发生器,其特征在于,两个线圈单元设为第I线圈单元和第II线圈单元,第I线圈单元上施加的刺激电流为电流Q1,第II线圈单元上施加的刺激电流为Q2,空间上,第I线圈单元与第II线圈单元分别位于大脑的两侧,且第I线圈单元与第II线圈单元之间的夹角为θ,第I线圈单元与第II线圈单元上施加的刺激电流方向在初始时刻是相同的,且第I线圈单元与第II线圈单元上施加的刺激电流均为正弦波电流,分别为Q1=A×sin(2π×f1×t),Q2=A×sin(2π×f2×t),其中A为刺激电流的幅值,f1为第I线圈单元刺激电流的频率,由第一高频发生器1产生,f2为第II线圈单元刺激电流的频率,由第二高频发生器产生,t为刺激时刻。第I线圈单元与第II线圈单元上刺激电流的幅值相同,但频率不同,且f1和f2均为不低于1000Hz的高频,但f1和f2之间的差值为大脑的节律。
2.根据权利要求1所述的线圈刺激装置,其特征在于,f1和f2均为不低于1000Hz的高频。
3.根据权利要求1所述的线圈刺激装置,其特征在于,在两个线圈单元施加的电流幅值为20A,频率f1为1kHz,f2为1.02kHz。
4.根据权利要求1所述的线圈刺激装置,其特征在于,两个线圈单元的内直径为80mm,外直径为120mm。
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