[发明专利]一种双极化低剖面微基站天线及阵列天线在审
| 申请号： | 202010028586.8 | 申请日： | 2020-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN111129740A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 金定树;孙凯 | 申请（专利权）人： | 上海安费诺永亿通讯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/36 | 分类号： | H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q15/14;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 201108 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 极化 剖面 基站 天线 阵列 | ||
1.一种双极化低剖面微基站天线，其特征在于，包括：
辐射单元，包括第一辐射层、第二辐射层，所述第一辐射层馈电耦合至所述第二辐射层；所述第二辐射层上开有多个梯形缝；
功率分配板，与所述第一辐射层相连；所述功率分配板包括第一馈电端口、第二馈电端口及第三馈电端口，所述第二馈电端口的电长度大于所述第一馈电端口、所述第三馈电端口中的任意一个馈电端口的电长度，且所述第二馈电端口为反相馈电端口；
反射板，与所述功率分配板固连。
2.如权利要求1所述的双极化低剖面微基站天线，其特征在于，所述第一辐射层上设有第一馈电点和第二馈电点，所述第一馈电点与所述第二馈电点呈轴对称分布；
所述第二辐射层上开有四个梯形缝,所述第一辐射层上设有四个与所述梯形缝位置相对的焊槽，各所述焊槽上焊接一金属支撑片连接所述第二辐射层。
3.如权利要求2所述的双极化低剖面微基站天线，其特征在于，所述第二辐射层呈方形，各所述梯形缝为等边梯形缝，四个所述梯形缝呈方形分布；
其中，两个所述梯形缝的中轴线与所述第二辐射层的水平中轴线重合且关于所述第二辐射层的垂直中轴线对称分布；
另两个所述梯形缝的中轴线与所述第二辐射层的垂直中轴线重合且关于所述第二辐射层的水平中轴线对称分布。
4.如权利要求3所述的双极化低剖面微基站天线，其特征在于，呈轴对称分布的两个所述梯形缝的底边相对设置。
5.如权利要求2所述的双极化低剖面微基站天线，其特征在于，所述第二辐射层呈方形，各所述梯形缝为等边梯形缝，四个所述梯形缝呈方形分布；
其中，两个所述梯形缝的中轴线与所述第二辐射层的第一对角线重合且关于所述第二辐射层的第二对角线对称分布；
另两个所述梯形缝的中轴线与所述第二辐射层的第二对角线重合且关于所述第二辐射层的第一对角线对称分布。
6.如权利要求1所述的双极化低剖面微基站天线，其特征在于，所述第一馈电端口的输入功率:所述第二馈电端口的输入功率:所述第三馈电端口的输入功率＝1:2:1。
7.如权利要求1所述的双极化低剖面微基站天线，其特征在于，所述微基站天线的高度为0.08*λ，其中，λ＝C/f，C表示光速，f表示所述微基站天线工作的中心频率。
8.如权利要求7所述的双极化低剖面微基站天线，其特征在于，所述功率分配板上设有多级带宽匹配网络，用于提高所述微基站天线的阻抗带宽。
9.如权利要求1所述的双极化低剖面微基站天线，其特征在于，所述第二辐射层采用铝片钣金冲压制成。
10.一种阵列天线，包括如权利要求1至9中任意一项所述的双极化低剖面微基站天线。
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