[发明专利]一种绝缘材料表面金属化的方法

权利要求书

1.一种绝缘材料表面金属化的方法，其特征在于：基底材料在真空容器内进行抽真空后，先采用离子束清洗工艺对基底材料的表面进行离子束清洗处理，然后再采用纯离子真空镀膜工艺对离子束清洗处理后的表面进行纯离子真空镀膜处理。

2.根据权利要求1所述的绝缘材料表面金属化的方法，其特征在于：基底材料在进行纯离子真空镀膜处理时对基底材料进行施加偏压。

3.根据权利要求1所述的绝缘材料表面金属化的方法，其特征在于：离子束清洗处理的电压为300V～5000V，Ar离子能量：200eV～5000eV。

4.根据权利要求2所述的绝缘材料表面金属化的方法，其特征在于：基底材料在进行纯离子真空镀膜处理时对基底材料施加的偏压为-10000V～0V。

5.根据权利要求1所述的绝缘材料表面金属化的方法，其特征在于：基底材料在进行纯离子真空镀膜处理时真空容器内温度为0℃～150℃。

6.根据权利要求1所述的绝缘材料表面金属化的方法，其特征在于：所述的基底材料为绝缘材料，基底材料上所镀的膜层包括金属、合金、金属化合物。

7.根据权利要求1所述的绝缘材料表面金属化的方法，其特征在于：真空容器内进行抽真空后的压力为10^-1Pa量级～10^-5Pa量级。

8.根据权利要求6所述的绝缘材料表面金属化的方法，其特征在于：绝缘材料包括无机玻璃、有机玻璃、树脂、塑料、电木、陶瓷，基底材料上所镀的膜层包括金属膜层、合金膜层。

9.根据权利要求1所述的绝缘材料表面金属化的方法，其特征在于：基底材料上所镀膜层的厚度为0微米～50微米。

10.根据权利要求9所述的绝缘材料表面金属化的方法，其特征在于：基底材料上所镀的膜层为层状结构，各层的材料组成相同或相异。