[发明专利]一种改进的细胞级F/C结构的微磁线圈在审
| 申请号： | 202010015888.1 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN113144426A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 田磊;郑羽;王佳伟 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | A61N2/02 | 分类号： | A61N2/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改进 细胞 结构 线圈 | ||
1.一种改进的细胞级F/C结构的微磁线圈，其特征在于，包括：
微线圈的结构；所述微线圈结构为平面方形螺旋线圈的结构；所述平面方形螺旋线圈结构为固定尺寸100μm×100μm的微线圈；
将所述微线圈上覆盖磁屏蔽层，构成不同的结构，研究不同结构下微线圈的参数，确定覆盖磁屏蔽层的微磁线圈的结构为F/C结构；
将所述细胞级F/C结构的微磁线圈，研究不同磁屏蔽层图案，磁屏蔽层与微磁线圈不同间距gl，磁屏蔽层厚度tm和宽度Wm对线圈性能参数的影响。
依据所述gl，tm和Wm对微线圈性能参数的影响，最终确定F/C结构的具体几何参数。
2.根据权利要求1所述的一种改进的细胞级F/C结构的微磁线圈，其特征在于，所述微线圈的大小为100μm×100μm。
3.根据权利要求1所述的一种改进的细胞级F/C结构的微磁线圈，其特征在于，所述固定尺寸的微线圈为平面方形螺旋线圈，线度为2μm，线厚1.7μm，间距为4μm，匝数为8。
4.根据权利要求1所述的一种改进的细胞级F/C结构的微磁线圈，其特征在于，所述微线圈的结构为带四周包围磁屏蔽层的覆盖线圈的结构，即F/C结构。
5.根据权利要求4所述的一种改进的细胞级F/C结构的微磁线圈，其特征在于，所述细胞级F/C结构的微磁线圈，磁屏蔽层图案为平面方形图案。
6.根据权利要求4所述的一种改进的细胞级F/C结构的微磁线圈，其特征在于，所述细胞级F/C结构的微磁线圈，磁屏蔽层与线圈的间隙为500nm。
7.根据权利要求4所述的一种改进的细胞级F/C结构的微磁线圈，其特征在于，所述细胞级F/C结构的微磁线圈，磁屏蔽层的厚度为2μm，宽度为100μm×100μm。
8.根据权利要求1所述的一种改进的细胞级F/C结构的微磁线圈，其特征在于，所述细胞级F/C结构的微磁线圈的焊盘大小为100μm×100μm，形状为线形焊盘，材料为Cu、Au中的一种，线宽为2μm，厚度为1.7μm。
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