[发明专利]一种Al-Si-Mn-Fe-Ga高熵十次准晶的制备方法有效
| 申请号： | 202010015158.1 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111004958B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 何战兵;赵良群;苗定豪;马海坤 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/02;B22D11/06 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 al si mn fe ga 高熵十次准晶 制备 方法 | ||
1.一种Al-Si-Mn-Fe-Ga高熵十次准晶的制备方法，其特征在于：
1）将金属Al纯度99.99%，Si纯度99.99%，Mn纯度99.99%，Fe纯度99.99％，Ga纯度99.99％，按照原子比为20 : 20 : 20 : 20 : 20配料，选择真空感应熔炼炉进行熔炼，其额定温度为1700℃高温，得到Al20Si20Mn20Fe20Ga20高熵合金铸锭；
2）取熔炼好的Al20Si20Mn20Fe20Ga20高熵合金铸锭，用真空甩带机制备快速凝固的甩带薄片。
2.如权利要求1所述的Al-Si-Mn-Fe-Ga高熵十次准晶的制备方法，其特征在于步骤2）所述真空甩带机工艺参数为：快速凝固的辊速：25 m/s，保护气体：氦气，炉体压力：0.2 Pa，喷包压力：0.02 MPa，冷却水压力：0.2 MPa，冷却水温度：27℃。
3.根据权利要求1所述Al-Si-Mn-Fe-Ga高熵十次准晶的制备方法，其特征在于步骤2）所述Al20Si20Mn20Fe20Ga20合金薄片，平均厚度为50 μm，薄片平均直径为2 mm。
4.根据权利要求1所述Al-Si-Mn-Fe-Ga高熵十次准晶的制备方法，其特征在于步骤2）所述Al20Si20Mn20Fe20Ga20合金薄片，由于贴辊面和自由面的冷速不同，分为贴辊面和自由面两个区域，贴辊面主要为纳米晶，自由面主要为柱状晶。
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