[发明专利]用于吸收电流和源电流的转变器技术有效
申请号: | 202010011844.1 | 申请日: | 2020-01-07 |
公开(公告)号: | CN111435818B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 赵汉良 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体国际无限责任公司 |
主分类号: | H02M3/157 | 分类号: | H02M3/157;H02M3/158 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 陈华成 |
地址: | 爱尔兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 吸收 电流 转变 技术 | ||
1.一种用于操作开关电路的方法,该开关电路具有配置为耦合至第一电源轨的第一开关、配置为耦合至第二电源轨的第二开关和将所述第一开关与所述第二开关串联耦合的开关节点,以及耦合在所述开关节点和负载之间的电感器,所述方法包括:
在脉冲宽度调制PWM信号从第一逻辑电平到第二逻辑电平的第一转变上触发所述第一开关的第一低阻抗状态;
在所述PWM信号从所述第二逻辑电平到所述第一逻辑电平的第二转变上触发所述第一开关的第一高阻抗状态;
响应于所述第二转变而启动第一非重叠间隔;
在所述第一非重叠间隔期间检测所述第一开关的体二极管导通事件;
响应于所述第一开关的体二极管导通事件,命令所述第二开关的第一低阻抗状态;和
基于所述PWM信号从所述第一逻辑电平到所述第二逻辑电平的后续第三转变,将所述第二开关触发到第一高阻抗状态。
2.根据权利要求1所述的方法,包括在所述PWM信号从所述第二逻辑电平到所述第一逻辑电平的后续第四转变上触发所述第二开关的第二低阻抗状态。
3.根据权利要求2所述的方法,包括响应于所述第四转变之后所述第二开关处于第二低阻抗状态,
响应于所述电感器的电流违反最大负电流极限,检测到负最大电流极限事件;
响应于所述负最大电流极限事件,命令所述第二开关的第二高阻抗状态;和
响应于负最大电流极限事件,命令所述第一开关的第二低阻抗状态。
4.根据权利要求1所述的方法,包括:
在所述PWM信号从所述第一逻辑电平到所述第二逻辑电平的第四转变上触发所述第二开关的第二高阻抗状态;
响应于所述第四转变启动第二非重叠间隔;
在所述第二非重叠间隔期间,检测所述第二开关的体二极管导通事件;和
基于所述PWM信号从所述第一逻辑电平到所述第二逻辑电平的后续第五转变,将所述第一开关触发到第二高阻抗状态。
5.根据权利要求4所述的方法,在所述PWM信号从所述第一逻辑电平到所述第二逻辑电平的后续第六转变上,触发所述第一开关的第二低阻抗状态。
6.根据权利要求5所述的方法,包括响应于所述第六转变之后所述第一开关处于所述第二低阻抗状态,
响应于所述电感器的电流违反最大正电流极限,检测到正最大电流极限事件;
响应于正最大电流极限事件,命令所述第一开关的第三高阻抗状态;和
响应于所述正最大电流极限事件,命令所述第二开关的第二低阻抗状态。
7.一种用于开关模式转变器的功率级电路,所述功率级电路包括:
第一检测器电路,用于接收指示第一功率晶体管的体二极管导通的信号,所述第一功率晶体管用于将第一电源节点耦合到中间节点;
第二检测器电路,用于接收指示第二功率晶体管的体二极管导通的信号,所述第二功率晶体管将第二电源节点耦合到所述中间节点;
输出节点,用于从电感器馈送负载,所述电感器耦合在所述输出节点和所述中间节点之间;和
控制器,被配置为操作所述第一功率晶体管和第二功率晶体管以避免体二极管导通通过所述第一功率晶体管和第二功率晶体管,所述控制器包括:
用于第一操作模式的第一开关逻辑;和
用于第二操作模式的第二开关逻辑;
其中所述控制器通信地耦合到所述第一检测器电路和第二检测器电
路;和
其中响应于所述第一功率晶体管或第二功率晶体管的体二极管导通事件指示,将所述第一功率晶体管和第二功率晶体管的控制节点与所述第一开关逻辑和所述第二开关逻辑之一隔离。
8.根据权利要求7所述的功率级电路,所述功率级电路还包括多路复用器电路,所述多路复用器电路配置为将所述控制器耦合至所述第一检测器电路和第二检测器电路,其中,所述多路复用器电路配置为根据操作模式选择性地将所述第一功率晶体管和第二功率晶体管的所述控制节点与所述第一开关逻辑或所述第二开关逻辑之一隔离。
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