[发明专利]电力变换单元

说明书

电力变换单元(1)具备多个半导体模块(60)、栅极驱动电路(17)、平板状的第1基板(20)和平板状的第2基板(30)。第1基板(20)具有与收容多个半导体模块(60)及栅极驱动电路(17)的壳体的底板(40)对置的第1面(20A)以及第1面(20A)相反侧的第2面(20B)。第2基板(30)在第1基板(20)的上方与第2面(20B)平行地配置。多个半导体模块(60)安装于第1面(20A)。栅极驱动电路(17)形成于第2基板(30)的不与第2面(20B)对置的一侧的面。电力变换单元(1)还具备设置于第2面(20B)、并且连接到与第2基板(30)对置的一侧的面的连接器(31)。

技术领域

本公开涉及电力变换单元。

背景技术

在日本特开2011－244572号公报(专利文献1)中，公开了使用IGBT(InsulatedGate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管)等半导体元件的电力变换单元。电力变换单元的栅极(gate)驱动电路经由栅极驱动线缆与构成逆变器(inverter)电路的多个半导体元件分别连接。通过栅极驱动电路将向各半导体元件施加的栅极驱动电压切换为接通或关断，各半导体元件开关动作。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011－244572号公报

发明内容

发明要解决的课题

在上述专利文献1所记载的电力变换单元中，在半导体元件的开关动作时，在栅极驱动线缆中发生共模噪声。为了降低该共模噪声，在栅极驱动线缆中插入有共模电抗器或中空的铁芯。

根据上述结构，虽然通过共模电抗器将共模噪声降低，但另一方面，担心因设置共模电抗器或铁芯带来的电力变换单元的大型化及成本增加。

本发明是为了解决这样的问题而做出的，其目的是提供一种能够实现小型化及降低噪声的电力变换单元。

用来解决课题的手段

有关本发明的电力变换单元具备：多个半导体模块，具有半导体开关元件；栅极驱动电路，驱动多个半导体模块；平板状的第1基板；以及平板状的第2基板。第1基板具有与收容多个半导体模块及栅极驱动电路的壳体的底板对置的第1面以及第1面相反侧的第2面。第2基板在第1基板的上方与第2面平行地配置。多个半导体模块被安装于第1面。栅极驱动电路形成于第2基板的不与第2面对置的一侧的面。电力变换单元还具备设于第2面、并且连接到与第2基板对置的一侧的面的连接器。

发明效果

根据本发明，能够提供能够实现小型化及降低噪声的电力变换单元。

附图说明

图1是表示有关实施方式的电力变换单元的结构例的电路框图。

图2是表示图1所示的不间断电源装置的主要部分的电路图。

图3是不间断电源装置的俯视图。

图4是不间断电源装置的立体图。

图5是用来说明有关本实施方式的电力变换单元的安装构造的作用效果的图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。另外，以下对于图中的相同或对应部分赋予相同的标号而在原则上不重复其说明。

图1是表示有关实施方式的电力变换单元的结构例的电路框图。有关本实施方式的电力变换单元代表性地能够应用于不间断电源装置1。不间断电源装置1是将来自商用交流电源21的三相交流电力暂且变换为直流电力、将该直流电力变换为三相交流电力并向负载22供给的装置。在图1中，为了图面及说明的简单化，仅表示了与三相(U相、V相、W相)中的一相(例如U相)对应的部分的电路。