[发明专利]串联电路中的磁控的电抗器线圈

权利要求书

1.一种用于在具有至少一个相导体(16)的高压电网(17)中进行动态负载流控制的设备(1)，所述高压电网具有至少一个第一高压接头(42)，所述第一高压接头被设计为用于分别与一个相导体(16)连接，其中针对每个第一高压接头(42)设置

-第一和第二芯区段(5，6)，其是闭合的磁路的一部分并且布置在罐中，

-第一高压绕组(5)，其包围第一芯区段(3)，和

-第二高压绕组(6)，其包围第二芯区段(4)并且与第一高压绕组(5)并联连接，

-至少一个饱和开关支路(10，11)，所述饱和开关支路被设计为用于使芯区段(3，4)饱和，并且具有可控的功率半导体开关(20，21，22，23)，和

-控制单元，其用于控制所述功率半导体开关，

其中，第一和第二高压绕组连接至第一高压接头，并且能够与一个或所述饱和开关支路(10，11)连接，

其特征在于第二高压接头(44)，所述第二高压接头同样设置用于连接至所述相导体(16)，并且通过一个或每个饱和开关支路(10，11)或直接与高压绕组(5，6)连接，其中，每个饱和支路(10，11)布置在所述罐(2)的外部，并且相对于地电势电绝缘地安置。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，每个饱和开关支路(10，11)布置在高压平台(50)上，所述高压平台具有借助电绝缘的承载柱(51)支撑在地面上的承载结构(52)。

3.根据前述权利要求中任一项所述的设备(1)，其特征在于，每个饱和开关支路(10，11)通过至少一个安装在罐(2)上的高压套管(8)与一个或多个高压绕组(5，6)连接。

4.根据前述权利要求中任一项所述的设备(1)，其特征在于，至少一个高压绕组(5，6)具有中间接头(53)，相应的高压绕组(5，6)通过所述中间接头连接至饱和支路(10，11)，其中，相应的高压绕组(5，6)的绕组端部(7，9)与第一高压接头(42)或第二高压接头(44)连接。

5.根据权利要求4所述的设备(1)，其特征在于，每个高压绕组(5，6)具有中间接头(53)，所述中间接头与一个或所述饱和开关支路(10，11)连接。

6.根据前述权利要求中任一项所述的设备(1)，其特征在于，每个饱和开关支路(10，11)具有至少一个双极的子模块(12)，所述子模块具有桥电路，所述桥电路具有功率半导体开关(20，21，22，23)和直流电压源(24)，从而根据对功率半导体开关(20，21，22，23)的控制，所述直流电压源能够与至少一个高压绕组(10，11)串联连接或者桥接。

7.根据权利要求6所述的设备(1)，其特征在于，每个子模块(12)被构造为全桥电路，所述全桥电路具有第一串联电路支路(33)和第二串联电路支路(34)，它们分别与直流电压源(24)并联连接，每个串联电路支路(33，34)具有由两个功率半导体开关(20，21，22，23)构成的串联电路，其中，第一串联电路支路(33)的功率半导体开关(20，21)之间的电势点与子模块(12)的第一连接端子(13)连接，并且第二串联电路支路(34)的功率半导体开关(22，23)之间的电势点与子模块(12)的第二连接端子(14)连接。

8.根据权利要求6或7所述的设备(1)，其特征在于，每个功率半导体开关(20，21，22，23)是具有反向并联连接的续流二极管(32)的IGBT(31)、GTO或晶体管开关。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的设备(1)，其特征在于，每个直流电压源(24)包括能量存储器。

10.根据权利要求9所述的设备(1)，其特征在于，所述能量存储器能够连接至供电网。