[发明专利]正极活性物质的制造方法在审
| 申请号： | 201980081363.3 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN113165910A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 门马洋平;齐藤丞;落合辉明;成田和平;町川一仁;三上真弓 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C01G53/00 | 分类号： | C01G53/00;H01M4/36;H01M4/525 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益;胡烨 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正极 活性 物质 制造 方法 | ||
1.一种正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：
将氟化镁、氟化锂、镍源和铝源粉末化后将该被粉末化的材料与钴酸锂粉末混合来制造第一混合物的第一步骤；以及
以低于所述钴酸锂的温度上限的温度加热所述第一混合物来制造第二混合物的第二步骤。
2.根据权利要求1所述的正极活性物质的制造方法，其中所述第二步骤的加热温度为700℃以上且950℃以下。
3.一种正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：
将氟化镁和氟化锂粉末化后将该被粉末化的材料与钴酸锂粉末混合来制造第一混合物的第一步骤；
以低于所述钴酸锂的温度上限的温度加热所述第一混合物来制造第二混合物的第二步骤；
将镍源粉末化之后将该被粉末化的镍源与所述第二混合物混合来制造第三混合物的第三步骤；以及
对所述第三混合物混合铝源之后以低于所述钴酸锂的温度上限的温度加热所得混合物来制造第四混合物的第四步骤。
4.根据权利要求3所述的正极活性物质的制造方法，其中所述第四步骤的加热温度为700℃以上且950℃以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的正极活性物质的制造方法，其中所述铝源为氢氧化铝和异丙醇铝之一。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的正极活性物质的制造方法，其中所述镍源为氢氧化镍。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的正极活性物质的制造方法，其中所得到的所述正极活性物质的平均粒子径为1μm以上且100μm以下。
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