[发明专利]用于碳纳米管纯化的方法

权利要求书

1.一种用于碳纳米管纯化的方法，包括：

用聚合物掩模包覆碳纳米管的床，所述床包括碳纳米管的第一群体和碳纳米管的第二群体，其中所述聚合物掩模包括：

包覆所述第一群体而不是所述第二群体的第一部分；和

包覆所述第二群体而不是所述第一群体的第二部分；

选择性地解聚所述聚合物掩模的所述第一部分而不是所述聚合物掩模的所述第二部分，包括用光照射所述碳纳米管的床，其中所述光被所述第一群体比被所述第二群体更强地吸收，从而加热所述聚合物掩模的所述第一部分；

在解聚所述聚合物掩模的所述第一部分之后，选择性地去除碳纳米管的所述第一群体而不是碳纳米管的所述第二群体，其中所述聚合物掩模的所述第二部分在去除所述第一群体期间保护所述第二群体；和

在选择性地去除碳纳米管的所述第一群体之后，从所述碳纳米管的床去除所述聚合物掩模的所述第二部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一群体基本上由金属碳纳米管组成；并且

所述第二群体基本上由半导体碳纳米管组成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在选择性地去除碳纳米管的所述第一群体之后，所述碳纳米管的床的金属/半导体比率小于0.001。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述床的所述碳纳米管大体上被布置在单个单层或部分单层中。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述床的大体上所有的碳纳米管被大体上彼此平行地布置。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合物掩模包括以下中的至少一种：聚(N-异丙基丙烯酰胺)、聚(N-乙基吡咯烷甲基丙烯酸酯)、聚(邻苯二甲醛)、聚(4,5-二氯邻苯二甲醛)、聚(乙醛酸甲酯)、聚(氨基甲酸酯)、聚氨酯、聚碳酸酯或聚(苄基醚)。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合物掩模的厚度小于30nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其中用光照射所述碳纳米管的床包括：用界定大于25nm的波长带宽的光照射所述碳纳米管。

9.根据权利要求1所述的方法，其中去除碳纳米管的所述第一群体包括将碳纳米管的所述第一群体和所述聚合物掩模的所述第二部分暴露于蚀刻剂环境。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳纳米管的床由基底支撑，其中所述基底对光是大体上透明的。

11.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一群体基本上由半导体碳纳米管组成；并且

所述第二群体基本上由金属碳纳米管组成。

12.一种用于碳纳米管纯化的方法，包括：

用聚合物掩模包覆大体上对齐的碳纳米管的床，所述床包括半导体碳纳米管和金属碳纳米管，其中所述聚合物掩模包括：

包覆所述金属碳纳米管而不是所述半导体碳纳米管的第一部分；和

包覆所述半导体碳纳米管而不是所述金属碳纳米管的第二部分；

选择性地解聚所述聚合物掩模的所述第一部分而不是所述聚合物掩模的所述第二部分，包括选择性地加热所述金属碳纳米管多于加热所述半导体碳纳米管，从而加热所述聚合物掩模的所述第一部分；和

在解聚所述聚合物掩模的所述第一部分之后，选择性地蚀刻所述金属碳纳米管而不是所述半导体碳纳米管，其中所述聚合物掩模的所述第二部分在蚀刻期间保护所述半导体碳纳米管。

13.根据权利要求12所述的方法，其中选择性地加热所述金属碳纳米管而不是所述半导体碳纳米管包括：用光照射所述碳纳米管，其中所述光被所述第一群体比被所述第二群体更强地吸收。