[发明专利]用于防止产生过量泄漏电流的照明设备以及对应方法在审
申请号: | 201980073426.0 | 申请日: | 2019-10-28 |
公开(公告)号: | CN113196884A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 陶海敏 | 申请(专利权)人: | 昕诺飞控股有限公司 |
主分类号: | H05B45/40 | 分类号: | H05B45/40;H05B45/30;H05B45/50 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑振 |
地址: | 荷兰艾恩*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 防止 产生 过量 泄漏 电流 照明设备 以及 对应 方法 | ||
1.一种基于双端改型发光二极管LED的照明设备,用于防止安装所述照明设备期间产生过量泄漏电流,所述照明设备包括:
-LED负载,被布置为用于发射光;
-LED驱动器,被布置为用于接收至少两个端子之间的交流AC市电电压,并且用于通过向所述LED负载提供LED输出电流和向所述LED负载提供直流DC电压来驱动所述LED负载;
-欠压保护电路,被布置为用于测量经整流市电电压,并且用于当测量的所述电压低于预先确定的阈值时,在所述至少两个端子之间提供高欧姆返回路径,以确保所述改型LED照明设备不会发生不安全情形,
其中所述LED驱动器被布置为当所述电源电压介于上限与下限之间时,向所述LED负载提供恒定LED输出电流,其中用于所述欠压保护电路的所述预先确定的阈值低于所述下限。
2.根据权利要求1所述的照明设备,其中较低的所述预先确定的阈值比所述上限低20%。
3.根据前述权利要求中任一项所述的照明设备,其中所述基于改型LED的照明设备还包括开关,其中所述开关被连接为使得当所述开关处于导通状态时,在所述至少两个端子之间建立返回路径;并且使得当所述开关处于关断状态时,在所述至少两个端子之间中断返回路径,其中所述欠压保护电路被布置为用于当测量的所述电压低于所述预先确定的阈值时,将所述开关切换到所述关断状态。
4.根据权利要求3所述的照明设备,其中所述开关为金属氧化物半导体MOS场效应晶体管FET。
5.根据前述权利要求中任一项所述的照明设备,其中所述照明设备包括四个端子,所述四个端子用于接收所述AC市电电压,其中所述四个端子中的两个端子被设置在所述照明设备的第一端面处,并且其中所述四个端子中的另外两个端子被设置在所述照明设备的第二端面处,所述第二端面与所述第一端面相对。
6.一种在安装根据权利要求1至7中任一项所述的基于双端改型发光二极管LED的照明设备期间防止产生泄漏电流的方法,其中所述方法包括以下步骤:
-通过欠压检测元件测量所述DC电压;
-通过所述欠压检测元件确定测量的所述DC电压低于预先确定的阈值;
-通过所述欠压检测元件在所述至少两个端子之间提供高欧姆路径,以防止所述泄漏电流并且确保所述改型LED照明设备不会发生不安全情形;
-当所述电源电压介于上限与下限之间时,向所述LED负载提供恒定LED输出电流,其中用于所述欠压保护电路的所述预先确定的阈值低于所述下限。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述LED驱动器被布置为当所述电源电压介于上限与下限之间时,向所述LED负载提供恒定LED输出电流,其中用于所述欠压保护电路的所述预先确定的阈值低于所述下限。
8.根据权利要求7所述的方法,其中较低的所述预先确定的阈值比所述下限低20%。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法,其中所述基于改型LED的照明设备还包括开关,其中所述开关被连接为使得当所述开关处于导通状态时,在所述至少两个端子之间建立返回路径;并且使得当所述开关处于关断状态时,在所述至少两个端子之间中断返回路径,其中所述提供步骤还包括:
-当测量的所述电压低于所述预先确定的阈值时,通过将所述开关切换到所述关断状态,通过所述欠压保护电路来提供高欧姆路径。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述开关为金属氧化物半导体MOS场效应晶体管FET。
11.根据权利要求9至10中任一项所述的方法,其中所述开关是与用于驱动所述LED负载的所述LED驱动器所包括的开关相同的开关。
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