[发明专利]转换速率限制器系统、器件和方法在审
申请号: | 201980071605.0 | 申请日: | 2019-08-31 |
公开(公告)号: | CN112955847A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 大卫·齐姆利希;亚瑟·S·莫里斯三世 | 申请(专利权)人: | 维斯普瑞公司 |
主分类号: | G05F1/59 | 分类号: | G05F1/59;G05F1/575 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 谭营营;胡彬 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转换 速率 限制器 系统 器件 方法 | ||
1.一种用于电子器件的驱动器,所述驱动器包括:
第一电路节点;
第一控制电路;以及
一个或多个第一转换速率限制场效应晶体管(FET),连接在所述第一电路节点和待驱动的所述电子器件的节点之间,其中所述一个或多个第一转换速率限制FET的栅极连接到所述第一控制电路,
其中所述一个或多个第一转换速率限制FET和所述第一控制电路被配置为设置对所述电子器件进行充电或放电的速率。
2.根据权利要求1所述的驱动器,其中所述第一控制电路包括:
一个或多个二极管连接的FET,其中所述一个或多个二极管连接的FET中的每一个二极管连接的FET的栅极连接到所述一个或多个第一转换速率限制FET中的相对应的一个第一转换速率限制FET的栅极;
其中所述一个或多个二极管连接的FET中的一个二极管连接的FET的源极连接到所述第一电路节点;
其中所述一个或多个二极管连接的FET中的一个二极管连接的FET的漏极与所述一个或多个二极管连接的FET中的所述一个二极管连接的FET的栅极共用;
其中所述第一控制电路是电流源电路的一部分;以及
其中所述电流源电路中的电流被镜像以在所述一个或多个第一转换速率限制FET中设置成比例的电流。
3.根据权利要求2所述的驱动器,其中所述电流源电路包括:
分压器,连接在所述第一电路节点和第二电路节点之间。
4.根据权利要求3所述的驱动器,其中所述驱动器还包括连接在所述第一电路节点和所述第二电路节点之间的电源。
5.根据权利要求4所述的驱动器,其中所述分压器与所述电源通信,并且被配置为提供用于控制所述电源的反馈电压。
6.根据权利要求5所述的驱动器,其中所述电源包括电荷泵;
其中所述电荷泵被配置为被驱动直到所述反馈电压超过参考反馈电压为止;以及
其中所述电荷泵被配置成使得当所述反馈电压超过所述参考反馈电压时所述电荷泵不被驱动;
所述驱动器还包括连接在所述分压器和所述电荷泵之间的比较器,所述比较器包括一个或多个处理器或其他合适的电路系统,所述比较器被配置为:
将所述反馈电压与所述参考反馈电压进行比较;以及
基于将所述反馈电压与所述参考反馈电压比较的结果来控制所述电荷泵。
7.根据权利要求3所述的驱动器,其中所述分压器选自由一个或多个二极管、一个或多个二极管连接的场效应晶体管(FET)、一个或多个电阻器、一个或多个电容器及它们的组合组成的组。
8.根据权利要求2所述的驱动器,其中所述一个或多个第一转换速率限制FET中的每一个第一转换速率限制FET具有分别相对于所述一个或多个二极管连接的FET中的相对应的一个二极管连接的FET的栅极宽度和栅极长度而被选择的栅极宽度和栅极长度,以设置所述一个或多个第一转换速率限制FET的电流镜像比;并且
其中流过所述一个或多个第一转换速率限制FET的第一电流根据所述电流镜像比与流过所述一个或多个二极管连接的FET中的相对应的一个二极管连接的FET的第二电流成比例。
9.根据权利要求8所述的驱动器,其中待驱动的所述电子器件包括微机电系统(MEMS)致动器;并且
其中所述电流镜像比被选择为确保MEMS致动器电容随时间变化的速率低于指定限值。
10.根据权利要求9所述的驱动器,其中所述电流镜像比被选择为确保所连接的MEMS致动器从“断开”状态移动到“闭合”状态或从“闭合”状态移动到“断开”状态所需的时间小于指定的最大切换时间。
11.根据权利要求1所述的驱动器,其中所述一个或多个第一转换速率限制FET包括以串联布置的方式被布置在所述第一电路节点或第二电路节点与待驱动的所述电子器件之间的两个FET。
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