[发明专利]卤化物的制造方法有效

专利信息
申请号: 201980064331.2 申请日: 2019-06-26
公开(公告)号: CN112789242B 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 久保敬;西尾勇祐;酒井章裕;宫崎晃畅 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: C01F17/36 分类号: C01F17/36;C01F17/10;H01M10/0562;H01B13/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 王磊;刘静
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 卤化物 制造 方法
【说明书】:

本公开的卤化物的制造方法,包括在惰性气体气氛下对混合材料进行烧成的烧成工序,该混合材料是(NHsubgt;4/subgt;)subgt;a/subgt;MXsubgt;3+a/subgt;和LiZ混合而成的材料。所述M包含选自Y、镧系元素和Sc中的至少一种元素。所述X是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。所述Z是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。且满足0<a≤3。

技术领域

本公开涉及卤化物的制造方法。

背景技术

专利文献1公开了一种卤化物固体电解质的制造方法。

现有技术文献

专利文献1:国际公开第2018/025582号

发明内容

在现有技术中,希望以工业上生产率高的方法制造卤化物。

本公开一方案的卤化物的制造方法,包括在惰性气体气氛下对混合材料进行烧成的烧成工序,该混合材料是(NH4)aMX3+a和LiZ混合而成的材料,所述M包含选自Y、镧系元素和Sc中的至少一种元素,所述X是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素,所述Z是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素,且满足0<a≤3。

根据本公开,能够以工业上生产率高的方法制造卤化物。

附图说明

图1是表示实施方式1中的制造方法一例的流程图。

图2是表示实施方式1中的制造方法一例的流程图。

图3是表示实施方式1中的制造方法一例的流程图。

图4是表示离子传导率的评价方法的示意图。

图5是表示由交流阻抗测定得到的离子传导率的评价结果的坐标图。

具体实施方式

以下,参照附图说明实施方式。

(实施方式1)

图1是表示实施方式1中的制造方法一例的流程图。

实施方式1中的制造方法包括烧成工序S1000。烧成工序S1000是在惰性气体气氛下对混合材料进行烧成的工序。

在此,烧成工序S1000中烧成的混合材料是(NH4)aMX3+a和LiZ混合而成的材料。

此时,M包含选自Y(即钇)、镧系元素(即选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素)和Sc(即钪)中的至少一种元素。

另外,X是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。

另外,Z是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。

另外,满足0a≤3。

根据以上方案,能够以工业上生产率高的方法(例如能够以低成本大量生产的方法)制造卤化物。即,能够采用简便的制造方法(即在惰性气体气氛下的烧成)来制造包含Li(即锂)和M的卤化物而无需使用真空密封管和行星型球磨机。另外,作为原料之一的(NH4)aMX3+a能够由廉价的M2O3和NH4X简便地合成,因此能够进一步降低制造成本。

再者,在本公开中,M可以是选自Y、Sm和Gd中的至少一种元素。

根据上述方案,能够制造离子传导率更高的卤化物。

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