[发明专利]卤化物的制造方法有效
申请号: | 201980064331.2 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN112789242B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 久保敬;西尾勇祐;酒井章裕;宫崎晃畅 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | C01F17/36 | 分类号: | C01F17/36;C01F17/10;H01M10/0562;H01B13/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 王磊;刘静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卤化物 制造 方法 | ||
本公开的卤化物的制造方法,包括在惰性气体气氛下对混合材料进行烧成的烧成工序,该混合材料是(NHsubgt;4/subgt;)subgt;a/subgt;MXsubgt;3+a/subgt;和LiZ混合而成的材料。所述M包含选自Y、镧系元素和Sc中的至少一种元素。所述X是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。所述Z是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。且满足0<a≤3。
技术领域
本公开涉及卤化物的制造方法。
背景技术
专利文献1公开了一种卤化物固体电解质的制造方法。
现有技术文献
专利文献1:国际公开第2018/025582号
发明内容
在现有技术中,希望以工业上生产率高的方法制造卤化物。
本公开一方案的卤化物的制造方法,包括在惰性气体气氛下对混合材料进行烧成的烧成工序,该混合材料是(NH4)aMX3+a和LiZ混合而成的材料,所述M包含选自Y、镧系元素和Sc中的至少一种元素,所述X是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素,所述Z是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素,且满足0<a≤3。
根据本公开,能够以工业上生产率高的方法制造卤化物。
附图说明
图1是表示实施方式1中的制造方法一例的流程图。
图2是表示实施方式1中的制造方法一例的流程图。
图3是表示实施方式1中的制造方法一例的流程图。
图4是表示离子传导率的评价方法的示意图。
图5是表示由交流阻抗测定得到的离子传导率的评价结果的坐标图。
具体实施方式
以下,参照附图说明实施方式。
(实施方式1)
图1是表示实施方式1中的制造方法一例的流程图。
实施方式1中的制造方法包括烧成工序S1000。烧成工序S1000是在惰性气体气氛下对混合材料进行烧成的工序。
在此,烧成工序S1000中烧成的混合材料是(NH4)aMX3+a和LiZ混合而成的材料。
此时,M包含选自Y(即钇)、镧系元素(即选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素)和Sc(即钪)中的至少一种元素。
另外,X是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。
另外,Z是选自Cl、Br、I和F中的至少一种元素。
另外,满足0a≤3。
根据以上方案,能够以工业上生产率高的方法(例如能够以低成本大量生产的方法)制造卤化物。即,能够采用简便的制造方法(即在惰性气体气氛下的烧成)来制造包含Li(即锂)和M的卤化物而无需使用真空密封管和行星型球磨机。另外,作为原料之一的(NH4)aMX3+a能够由廉价的M2O3和NH4X简便地合成,因此能够进一步降低制造成本。
再者,在本公开中,M可以是选自Y、Sm和Gd中的至少一种元素。
根据上述方案,能够制造离子传导率更高的卤化物。
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