[发明专利]卤化物的制造方法在审
| 申请号: | 201980062307.5 | 申请日: | 2019-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN112823140A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
| 发明(设计)人: | 西尾勇祐;久保敬;酒井章裕;宫崎晃畅 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号: | C01F17/10 | 分类号: | C01F17/10;C01F17/271;C01D15/04;C01F17/253;H01B13/00;H01M10/0562 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 王磊;刘静 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 卤化物 制造 方法 | ||
本公开的卤化物的制造方法,包括将混合材料在惰性气体气氛下进行烧成的烧成工序,所述混合材料是混合有LiX和YZ3的材料。所述X是选自Cl、Br和I中的一种元素。所述Z是选自Cl、Br和I中的一种元素。在所述烧成工序中,所述混合材料在200℃以上且650℃以下被烧成。
技术领域
本发明涉及卤化物的制造方法。
背景技术
专利文献1公开了一种卤化物固体电解质的制造方法。
在先技术文献
专利文献1:国际公开第2018/025582号
发明内容
发明要解决的课题
现有技术中,期望采用工业上生产率高的方法制造卤化物。
用于解决课题的手段
本公开的一技术方案中的卤化物的制造方法,包括将混合材料在惰性气体气氛下进行烧成的烧成工序,所述混合材料是混合有LiX和YZ3的材料,所述X是选自Cl、Br和I中的一种元素,所述Z是选自Cl、Br和I中的一种元素,在所述烧成工序中,所述混合材料在200℃以上且650℃以下被烧成。
发明的效果
根据本公开,能够采用工业上生产率高的方法制造卤化物。
附图说明
图1是表示实施方式1中的制造方法的一例的流程图。
图2是表示实施方式1中的制造方法的一例的流程图。
图3是表示实施方式1中的制造方法的一例的流程图。
图4是表示离子传导率的评价方法的示意图。
图5是表示通过AC阻抗测定得到的离子传导率的评价结果的图表。
具体实施方式
以下,参照附图对实施方式进行说明。
(实施方式1)
图1是表示实施方式1中的制造方法的一例的流程图。
实施方式1中的制造方法包括烧成工序S1000。
烧成工序S1000是将混合材料在惰性气体气氛下进行烧成的工序。在此,在烧成工序S1000中被烧成的混合材料,是混合有LiX和YZ3的材料。此时,X是选自Cl、Br和I中的一种元素。另外,Z是选自Cl、Br和I中的一种元素。在烧成工序S1000中,混合材料在200℃以上且650℃以下被烧成。
根据以上技术构成,能够采用工业上生产率高的方法(例如能够以低成本大量生产的方法)制造卤化物。即、能够不使用真空密封管和行星式球磨机,采用简单的制造方法(即、惰性气体气氛下的烧成)制造包含Li(即、锂)和Y(即、钇)的卤化物。
在烧成工序S1000中,例如可以将混合材料的粉末放入容器(例如坩埚)中,在加热炉内进行烧成。此时,在惰性气体气氛中将混合材料升温至200℃以上且650℃以下的状态,可以保持预定时间以上。再者,烧成时间可以是长度为不产生由于卤化物的挥发等引起的烧成物的组成偏差(即、不损害烧成物的离子传导率)程度的时间。
再者,作为惰性气体,可使用氦气、氮气、氩气等。
再者,在烧成工序S1000之后,可以将烧成物从容器(例如坩埚)中取出并粉碎。此时,烧成物可以通过粉碎器具(例如研钵、混合器等)进行粉碎。
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